高温耐火セラミック材料 3YSZ、または正方晶ジルコニア多結晶 (TZP) と呼ぶことができるものは、3% モルの酸化イットリウムで安定化された酸化ジルコニウムでできています。

シリコンと窒素で構成される非金属化合物である窒化ケイ素 (Si3N4) も、機械的、熱的、電気的特性を最も柔軟に組み合わせた高度なセラミック材料です。また、他のセラミックスと比較して熱膨張係数が低く、耐熱衝撃性に優れた高性能セラミックスです。

熱分解 BN または PBN は、熱分解窒化ホウ素の略です。化学蒸着法（CVD）によって生成される六方晶系窒化ホウ素の一種で、99.99％以上に達し、気孔がほとんどない非常に純粋な窒化ホウ素でもあります。

炭化ケイ素 (SiC) は、半導体用途向けの単結晶として頻繁に成長するセラミック材料です。その固有の材料特性と単結晶成長により、市場で最も耐久性のある半導体材料の 1 つです。この耐久性は、電気的機能をはるかに超えています。

窒化ホウ素 (BN) セラミックは、最も効果的なテクニカル グレードのセラミックの 1 つです。それらは、世界で最も要求の厳しいアプリケーション分野の問題を解決するために、高い絶縁耐力および並外れた化学的不活性と、高い熱伝導率などの並外れた耐熱特性を兼ね備えています。

薄膜セラミックで作られた基板は、半導体材料とも呼ばれます。これは、真空コーティング、蒸着、またはスパッタリング法を利用して構築された多数の薄い層で構成されています。 2 次元 (平面) または 3 次元の厚さ 1 mm 未満のガラス シートは、薄膜セラミック基板と見なされます。それらは v から製造することができます。

一方、Si3N4 は優れた熱伝導率と機械的性能を兼ね備えています。熱伝導率は90W/mKと規定でき、破壊靭性は比較対象セラミックスの中で最高です。これらの特性は、Si3N4 がメタライズ基板として最高の信頼性を示すことを示唆しています。

窒化ホウ素セラミックスは、非常に安定した優れた強度と熱性能を備えているため、溶融金属の噴霧に使用されるノズルの製造に理想的な選択肢となっています。

炭化ホウ素 (B4C) は、ホウ素と炭素で構成された耐久性のあるセラミックです。炭化ホウ素は、知られている最も硬い物質の 1 つであり、立方晶窒化ホウ素とダイヤモンドに次いで 3 番目にランク付けされています。これは、戦車の装甲、防弾チョッキ、エンジン破壊工作の粉など、さまざまな重要な用途で利用される共有結合材料です。実際、さまざまな産業用途に適した素材です。

熱伝導率が高く、熱膨張係数が小さい。この特性の組み合わせにより、優れた耐熱衝撃性が提供されるため、炭化ケイ素セラミックスは幅広い産業で役立ちます。また、半導体であり、その電気的特性により、幅広い用途に適しています。また、極端な硬度と耐食性でも知られています。