セラミック ボールは、過酷な化学物質にさらされる用途や非常に高温の状況に優れた性能特性を提供します。従来の材料では使用できない化学ポンプやドリルロッドなどの用途では、セラミック ボールにより寿命が長くなり、摩耗が減少し、おそらく許容できる性能が得られます。

マグネシア安定化ジルコニア (MSZ) は、侵食や熱衝撃に対する優れた回復力を備えています。マグネシウム安定化ジルコニアは耐摩耗性、耐食性に優れているため、バルブ、ポンプ、ガスケットなどに利用されています。また、石油化学および化学処理分野でも推奨される材料です。

高温耐火セラミック材料 3YSZ、または正方晶ジルコニア多結晶 (TZP) と呼ぶことができるものは、3% モルの酸化イットリウムで安定化された酸化ジルコニウムでできています。

シリコンと窒素で構成される非金属化合物である窒化ケイ素 (Si3N4) も、機械的、熱的、電気的特性を最も柔軟に組み合わせた高度なセラミック材料です。また、他のセラミックスと比較して熱膨張係数が低く、耐熱衝撃性に優れた高性能セラミックスです。

熱分解 BN または PBN は、熱分解窒化ホウ素の略です。化学蒸着法（CVD）によって生成される六方晶系窒化ホウ素の一種で、99.99％以上に達し、気孔がほとんどない非常に純粋な窒化ホウ素でもあります。

炭化ケイ素 (SiC) は、半導体用途向けの単結晶として頻繁に成長するセラミック材料です。その固有の材料特性と単結晶成長により、市場で最も耐久性のある半導体材料の 1 つです。この耐久性は、電気的機能をはるかに超えています。

窒化ホウ素 (BN) セラミックは、最も効果的なテクニカル グレードのセラミックの 1 つです。それらは、世界で最も要求の厳しいアプリケーション分野の問題を解決するために、高い絶縁耐力および並外れた化学的不活性と、高い熱伝導率などの並外れた耐熱特性を兼ね備えています。

薄膜セラミックで作られた基板は、半導体材料とも呼ばれます。これは、真空コーティング、蒸着、またはスパッタリング法を利用して構築された多数の薄い層で構成されています。 2 次元 (平面) または 3 次元の厚さ 1 mm 未満のガラス シートは、薄膜セラミック基板と見なされます。それらは v から製造することができます。

一方、Si3N4 は優れた熱伝導率と機械的性能を兼ね備えています。熱伝導率は90W/mKと規定でき、破壊靭性は比較対象セラミックスの中で最高です。これらの特性は、Si3N4 がメタライズ基板として最高の信頼性を示すことを示唆しています。

窒化ホウ素セラミックスは、非常に安定した優れた強度と熱性能を備えているため、溶融金属の噴霧に使用されるノズルの製造に理想的な選択肢となっています。