碳化硅 (SiC) 是一种陶瓷材料，通常生长为单晶用于半导体应用。由于其固有的材料特性和单晶生长，它是市场上最耐用的半导体材料之一。这种耐用性远远超出了其电气功能。

物理耐久性

SiC 的物理耐久性最好通过检查其非电子应用来说明：砂纸、挤压模具、防弹背心板、高性能制动盘和火焰点火器。 SiC 会划伤物体，而不是被划伤。当用于高性能制动盘时，它们在恶劣环境下的长期耐磨性将受到考验。要用作防弹背心板，SiC 必须同时具备高物理强度和冲击强度。

化学和电气耐久性

SiC 以其化学惰性着称；即使暴露在高达 800 °C 的温度下，它也不受最具腐蚀性的化学物质（如碱和熔盐）的影响。由于具有抗化学侵蚀性，SiC 不具有腐蚀性，可以承受恶劣环境，包括暴露于潮湿空气、盐水和各种化学品。

由于其高能带隙，SiC 对电磁干扰和辐射的破坏性影响具有很强的抵抗力。与 Si 相比，SiC 在更高功率水平下也更能抵抗损坏。

抗热震性

SiC 的抗热震性是另一个重要特性。当物体暴露于极端温度梯度时，会发生热冲击（即当物体的不同部分处于明显不同的温度时）。由于这种温度梯度，不同部分之间的膨胀或收缩率会有所不同。热冲击会导致脆性材料破裂，但 SiC 对这些影响具有很强的抵抗力。与绝大多数半导体材料相比，SiC 的抗热震性是其高导热率（单晶 350 W/m/K）和低热膨胀的结果。

SiC 电子器件（例如 MOSFET 和肖特基二极管）因其耐用性而用于具有恶劣环境的应用，例如 HEV 和 EV。由于其物理、化学和电气弹性，它是一种用于需要韧性和可靠性的半导体应用的优秀材料。