氮化铝 (AlN) 陶瓷是一种技术陶瓷材料，以其卓越的导热性和卓越的电绝缘性能而闻名。

氮化铝 (AlN) 具有 160 至 230 W/mK 的高导热率。由于其与厚膜和薄膜处理技术的兼容性，它在电信技术应用中表现出有利的特性。

因此，氮化铝陶瓷被广泛用作半导体、高功率电子器件、外壳和散热器的基材。

典型成绩（按导热系数和成型工艺）

160 W/mK（热压）

180 W/mK（干压和流延）

200 W/mK（流延）

230 W/mK（流延）

典型特性

非常高的导热率

杰出的耐热震性

良好的介电性能

热膨胀系数低

良好的金属化能力

典型应用

散热器

激光组件

高功率电气绝缘体

用于管理熔融金属的组件

用于半导体制造的固定装置和绝缘体