WINTRUSTEK 制造的氮化硼 (BN) 陶瓷

氮化硼 (BN) 陶瓷是最有效的工业级陶瓷之一。它们结合了卓越的耐温特性，例如高导热性、高介电强度和卓越的化学惰性，以解决世界上一些要求最苛刻的应用领域中的问题。

氮化硼陶瓷是通过高温压制制造的。该方法采用高达 2000°C 的温度和中等到相当大的压力，以将 BN 原料粉末烧结成称为坯料的大而致密块。这些氮化硼坯料可以毫不费力地加工和精加工成光滑、复杂几何形状的部件。易于加工，无需生坯烧制、打磨和上釉，可在各种高级工程应用中实现快速原型制作、设计修改和鉴定周期。

等离子室工程就是氮化硼陶瓷的一种此类用途。 BN 的抗溅射性和二次离子产生的低倾向，即使在强电磁场存在下，也使它有别于等离子环境中的其他高级陶瓷。抗溅射有助于组件的耐用性，而低二次离子产生有助于保持等离子体环境的完整性。它已被用作各种薄膜涂层工艺中的高级绝缘体，包括等离子增强物理气相沉积 (PVD)。

物理气相沉积是在真空中进行的各种薄膜涂层技术的一个术语，用于改变不同材料的表面。人们在制作光电器件、精密汽车和航空航天零件等时，经常使用溅射沉积和PVD镀膜来制作靶材并将其置于基板表面。溅射是一种独特的工艺，其中等离子体用于不断撞击目标材料并迫使颗粒脱离目标材料。氮化硼陶瓷通常用于将溅射室中的等离子弧限制在靶材上，并防止整体室部件腐蚀。

氮化硼陶瓷也被用于使卫星霍尔效应推进器工作得更好、寿命更长。

霍尔效应推进器在等离子体的帮助下在轨道上移动卫星并在深空探测。当推进剂气体在强径向磁场中移动时，使用高性能陶瓷通道电离推进剂气体时会产生这种等离子体。电场用于加速等离子体并将其移动通过放电通道。等离子体可以以每小时数万英里的速度离开通道。等离子腐蚀往往会过快地破坏陶瓷放电通道，这是这项先进技术的一个问题。氮化硼陶瓷已成功用于延长霍尔效应等离子体推进器的使用寿命，而不会影响其电离效率或推进能力。