Pyrolytische Bornitrid-PBN-Produkte
Pyrolytisches Bornitrid (PBN) wird durch das bekannte chemische Gasphasenabscheidungsverfahren (CVD) hergestellt, bei dem das Ammoniakgas (NH3) und ein gasförmiges Borhalogenid wie Bortrichlorid (BCI3) in einem Hochtemperatur-CVD-Ofen zur Abscheidung reagieren PBN auf einem geeigneten Substrat wie pyrolytischem Graphit.
PBN ist aufgrund seiner intrinsischen Reinheit und überlegenen mechanischen Eigenschaften als ausgezeichnete Wahl für Hochtemperaturofen- und Elektrokomponenten, Halbleiter- und Mikrowellenverbindungskristalle wie Germanium (Ge), Galliumarsenid (GaAs) und Indiumphosphat (InP) bekannt und physikalisch-chemische Stabilität. PBN hält Temperaturen von 1800 °C im Vakuum und 2000 °C in Stickstoff stand und ist daher eine gute Wahl für Ofenkomponenten und Schmelzgefäße.
Der VGF-Tiegel ist eine Art Gefäß für die Synthese von Kristallen mit der Technik des vertikalen Gradientenfrostens (VGF), wie z. B. GaAs-, InP-, CZGaP- und Ge-Kristalle.
Schichtstruktur mit sechseckigem Kristallgitter
Besondere Eigenschaften senkrecht zur Basisebene des Kristalls
Überlegene strukturelle und physikalisch-chemische Stabilität
Anisotrope Struktur
Hohe thermische Stabilität
Nicht benetzend
Ungiftig
Tiegel für die Züchtung von Halbleiterkristallen
Wellenröhren für HF und Mikrowelle
Fenster, die Mikrowellenstrahlung ausgesetzt sind
Elektrischer Isolator
PBN mit einzigartigen Eigenschaften und hoher struktureller und physikalisch-chemischer Stabilität kann die beste Wahl sein als:
PBN-Tiegel für den Vertical Gradient Freezing (VGF)-Prozess
PBN-Tiegel für den Liquid Encapsulation Czochralski (LEC)-Prozess
PBN-Behälter für den Molecular Beam Epitaxy (MBE)-Prozess
PBN-Boote für Verbindungshalbleiter und Legierungsverarbeitung
PBN-Isolierplatten aus metallorganischem CVD (MOCVD) und MBE-Isolierringe
Elektrische Isolierbuchsen aus PBN für Hochtemperatur-Vakuumgeräte
PBN-Wanderfeldröhre (TWT) mit Spiralstruktur
Analytisches Element | Ergebnis (μg/g) | Analytisches Element | Ergebnis (μg/g) |
Li | <0.005 | Si | 1.7 |
F | <0.005 | CI | <0.005 |
Na | <0.005 | S | <0.005 |
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