熱解氮化硼PBN產品

產品概述

熱解氮化硼（PBN）是透過眾所周知的化學氣相沉積（CVD）製程製造的，其中氨氣（NH3）和氣態鹵化硼如三氯化硼（BCI3）在高溫CVD爐中反應沉積PBN 位於適當的基材上，例如熱解石墨。

PBN因其固有的純度、優異的機械性能而被認為是高溫爐和電氣元件、半導體和微波化合物晶體（例如鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）和磷酸銦（InP））的絕佳選擇和物理化學穩定性。 PBN 可承受真空中 1800°C 的溫度和氮氣中 2000°C 的溫度，使其成為熔爐組件和熔化容器的良好選擇。

VGF坩堝是一種用於垂直梯度凍結（VGF）技術合成晶體的容器，例如GaAs、InP、CZGaP和Ge晶體。

典型特性

• 具有六方晶格的層狀結構

• 垂直於晶體基面的特殊性質

• 卓越的結構和物理化學穩定性

• 各向異性結構

• 高熱穩定性

• 不潤濕

• 無毒

典型應用

• 用於半導體晶體生長的坩堝

• 用於射頻和微波的波管

• 窗戶受微波輻射

• 電絕緣體

PBN 產品範圍

PBN 具有獨特的性能和較高的結構和物理化學穩定性，是最佳選擇，因為：

• 用於垂直梯度冷凍 (VGF) 製程的 PBN 坩堝

• 用於液體封裝直拉 (LEC) 製程的 PBN 坩堝

• 用於分子束外延 (MBE) 製程的 PBN 容器

• 用於化合物半導體和合金加工的PBN船

• PBN 金屬有機 CVD (MOCVD) 絕緣板和 MBE 絕緣環

• 高溫真空設備用PBN電氣絕緣套管

• 螺旋結構的PBN行波管（TWT）

GDMS分析

包裝與運輸

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