熱解氮化硼PBN產品
熱解氮化硼(PBN)是透過眾所周知的化學氣相沉積(CVD)製程製造的,其中氨氣(NH3)和氣態鹵化硼如三氯化硼(BCI3)在高溫CVD爐中反應沉積PBN 位於適當的基材上,例如熱解石墨。
PBN因其固有的純度、優異的機械性能而被認為是高溫爐和電氣元件、半導體和微波化合物晶體(例如鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)和磷酸銦(InP))的絕佳選擇和物理化學穩定性。 PBN 可在真空中承受 1800°C 的溫度,在氮氣中承受 2000°C 的溫度,使其成為熔爐組件和熔化容器的良好選擇。
具有六方晶格的層狀結構
垂直於晶體基面的特殊性質
卓越的結構和物理化學穩定性
各向異性結構
高熱穩定性
不潤濕
無毒
用於半導體晶體生長的坩堝
用於射頻和微波的波管
窗戶受微波輻射
電絕緣體
PBN 具有獨特的性能和較高的結構和物理化學穩定性,是最佳選擇,因為:
用於垂直梯度冷凍 (VGF) 製程的 PBN 坩堝
用於液體封裝直拉 (LEC) 製程的 PBN 坩堝
用於分子束外延 (MBE) 製程的 PBN 容器
用於化合物半導體和合金加工的PBN船
PBN 金屬有機 CVD (MOCVD) 絕緣板和 MBE 絕緣環
高溫真空設備用PBN電氣絕緣套管
螺旋結構的PBN行波管(TWT)
分析元素 | 結果(μg/g) | 分析元素 | 結果(μg/g) |
Li | <0.005 | Si | 1.7 |
F | <0.005 | CI | <0.005 |
Na | <0.005 | S | <0.005 |
包裝與運輸
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