當前，環保節能的呼聲越來越高，讓國內新能源電動汽車成為眾人矚目的焦點。大功率封裝器件在調節車輛速度和存儲轉換交流和直流方面起著決定性作用。高頻熱循環對電子封裝的散熱提出了嚴格的要求，而工作環境的複雜性和多樣性要求封裝材料具有良好的抗熱震性和高強度來發揮支撐作用。此外，隨著以高電壓、大電流、高頻率為特徵的現代電力電子技術的快速發展，應用於該技術的功率模塊的散熱效率變得更加關鍵。電子封裝系統中的陶瓷基板材料是高效散熱的關鍵，它們還具有高強度和高可靠性以應對複雜的工作環境。近年來量產並廣泛應用的陶瓷基片主要有Al2O3、BeO、SiC、Si3N4、AlN等。

Al2O3陶瓷以其製備工藝簡單、絕緣性好、耐高溫等特點，在散熱基板行業佔有重要地位。但是Al2O3的低導熱係數不能滿足大功率高壓器件的發展要求，只適用於對散熱要求不高的工作環境。此外，低抗彎強度也限制了Al2O3陶瓷作為散熱基板的應用範圍。

BeO陶瓷基板具有高導熱性和低介電常數，滿足高效散熱的要求。但其毒性較大，不利於大規模應用，影響工人健康。

AlN 陶瓷因其高導熱性而被認為是散熱基板的候選材料。但AlN陶瓷抗熱震性差，易潮解，強度和韌性低，不利於在復雜環境下工作，應用可靠性難以保證。

SiC陶瓷具有高導熱性，由於其高介電損耗和低擊穿電壓，不適合在高頻和電壓工作環境中應用。

Si3N4被國內外公認為具有高導熱性和高可靠性的最佳陶瓷基板材料。 Si3N4陶瓷基板的導熱係數雖然略低於AlN，但其抗彎強度和斷裂韌性可以達到AlN的兩倍以上。同時，Si3N4 陶瓷的熱導率遠高於 Al2O3 陶瓷。此外，Si3N4 陶瓷基板的熱膨脹係數接近第三代半導體基板 SiC 晶體的熱膨脹係數，使其能夠更穩定地與 SiC 晶體材料匹配。它使 Si3N4 成為第三代 SiC 半導體功率器件的高導熱基板的首選材料。