碳化矽 (SiC) 是一種陶瓷材料，通常生長為單晶用於半導體應用。由於其固有的材料特性和單晶生長，它是市場上最耐用的半導體材料之一。這種耐用性遠遠超出了其電氣功能。

物理耐久性

SiC 的物理耐久性最好通過檢查其非電子應用來說明：砂紙、擠壓模具、防彈背心板、高性能製動盤和火焰點火器。 SiC 會劃傷物體，而不是被劃傷。當用於高性能製動盤時，它們在惡劣環境下的長期耐磨性將受到考驗。要用作防彈背心板，SiC 必須同時具備高物理強度和衝擊強度。

化學和電氣耐久性

SiC 以其化學惰性著稱；即使暴露在高達 800 °C 的溫度下，它也不受最具腐蝕性的化學物質（如鹼和熔鹽）的影響。由於具有抗化學侵蝕性，SiC 不具有腐蝕性，可以承受惡劣環境，包括暴露於潮濕空氣、鹽水和各種化學品。

由於其高能帶隙，SiC 對電磁干擾和輻射的破壞性影響具有很強的抵抗力。與 Si 相比，SiC 在更高功率水平下也更能抵抗損壞。

抗熱震性

SiC 的抗熱震性是另一個重要特性。當物體暴露於極端溫度梯度時，會發生熱衝擊（即當物體的不同部分處於明顯不同的溫度時）。由於這種溫度梯度，不同部分之間的膨脹或收縮率會有所不同。熱衝擊會導致脆性材料破裂，但 SiC 對這些影響具有很強的抵抗力。與絕大多數半導體材料相比，SiC 的抗熱震性是其高導熱率（單晶 350 W/m/K）和低熱膨脹的結果。

SiC 電子器件（例如 MOSFET 和肖特基二極管）因其耐用性而用於具有惡劣環境的應用，例如 HEV 和 EV。由於其物理、化學和電氣彈性，它是一種用於需要韌性和可靠性的半導體應用的優秀材料。