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热解氮化硼 VGF 坩埚

VGF坩埚是一种用于垂直梯度冻结(VGF)技术合成晶体的容器,例如GaAs、InP、CZGaP和Ge晶体。
  • 高纯度99.999%
  • 高结晶率
  • 使用寿命长
  • 优异的热稳定性
  • 产品信息

Pyrolytic Boron Nitride PBN Products

热解氮化硼PBN产品

产品概述

热解氮化硼(PBN)是通过众所周知的化学气相沉积(CVD)工艺制造的,其中氨气(NH3)和气态卤化硼如三氯化硼(BCI3)在高温CVD炉中反应沉积PBN 位于适当的基材上,例如热解石墨。

PBN因其固有的纯度、优异的机械性能而被认为是高温炉和电气元件、半导体和微波化合物晶体(例如锗(Ge)、砷化镓(GaAs)和磷酸铟(InP))的绝佳选择和物理化学稳定性。 PBN 可承受真空中 1800°C 的温度和氮气中 2000°C 的温度,使其成为熔炉组件和熔化容器的良好选择。

 

VGF坩埚是一种用于垂直梯度冻结(VGF)技术合成晶体的容器,例如GaAs、InP、CZGaP和Ge晶体。


典型特性

  • 具有六方晶格的层状结构

  • 垂直于晶体基面的特殊性质

  • 卓越的结构和物理化学稳定性

  • 各向异性结构

  • 高热稳定性

  • 不润湿

  • 无毒


典型应用

  • 用于半导体晶体生长的坩埚

  • 用于射频和微波的波管

  • 窗户受微波辐射

  • 电绝缘体

 


PBN 产品范围

PBN 具有独特的性能和较高的结构和物理化学稳定性,是最佳选择,因为:


  • 用于垂直梯度冷冻 (VGF) 工艺的 PBN 坩埚

  • 用于液体封装直拉 (LEC) 工艺的 PBN 坩埚

  • 用于分子束外延 (MBE) 工艺的 PBN 容器

  • 用于化合物半导体和合金加工的PBN船

  • PBN 金属有机 CVD (MOCVD) 绝缘板和 MBE 绝缘环

  • 高温真空设备用PBN电气绝缘套管

  • 螺旋结构的PBN行波管(TWT)

 

GDMS分析

分析元素

结果(μg/g)

分析元素

结果(μg/g)

Li

<0.005

Si

1.7

F

<0.005

CI

<0.005

Na

<0.005

S

<0.005

 



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包装与运输

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厦门维创泰科新材料有限公司

地址:中国厦门市湖里高科技园区987号361009
电话:0086 13656035645
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