热解氮化硼PBN产品
热解氮化硼(PBN)是通过众所周知的化学气相沉积(CVD)工艺制造的,其中氨气(NH3)和气态卤化硼如三氯化硼(BCI3)在高温CVD炉中反应沉积PBN 位于适当的基材上,例如热解石墨。
PBN因其固有的纯度、优异的机械性能而被认为是高温炉和电气元件、半导体和微波化合物晶体(例如锗(Ge)、砷化镓(GaAs)和磷酸铟(InP))的绝佳选择和物理化学稳定性。 PBN 可承受真空中 1800°C 的温度和氮气中 2000°C 的温度,使其成为熔炉组件和熔化容器的良好选择。
VGF坩埚是一种用于垂直梯度冻结(VGF)技术合成晶体的容器,例如GaAs、InP、CZGaP和Ge晶体。
具有六方晶格的层状结构
垂直于晶体基面的特殊性质
卓越的结构和物理化学稳定性
各向异性结构
高热稳定性
不润湿
无毒
用于半导体晶体生长的坩埚
用于射频和微波的波管
窗户受微波辐射
电绝缘体
PBN 具有独特的性能和较高的结构和物理化学稳定性,是最佳选择,因为:
用于垂直梯度冷冻 (VGF) 工艺的 PBN 坩埚
用于液体封装直拉 (LEC) 工艺的 PBN 坩埚
用于分子束外延 (MBE) 工艺的 PBN 容器
用于化合物半导体和合金加工的PBN船
PBN 金属有机 CVD (MOCVD) 绝缘板和 MBE 绝缘环
高温真空设备用PBN电气绝缘套管
螺旋结构的PBN行波管(TWT)
分析元素 | 结果(μg/g) | 分析元素 | 结果(μg/g) |
Li | <0.005 | Si | 1.7 |
F | <0.005 | CI | <0.005 |
Na | <0.005 | S | <0.005 |
包装与运输
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