碳化矽 (SiC) 是一種陶瓷材料，在半導體應用中經常生長為單晶。由於其固有的材料特性和單晶生長，它是市場上最耐用的半導體材料之一。這種耐用性遠遠超出了其電氣功能。

氮化硼 (BN) 陶瓷是最有效的工業級陶瓷之一。它們結合了卓越的耐溫特性，例如高導熱性、高介電強度和卓越的化學惰性，以解決世界上一些要求最苛刻的應用領域中的問題。

由薄膜陶瓷製成的基板也稱為半導體材料。它由許多利用真空鍍膜、沉積或濺射方法構建的薄層組成。厚度小於一毫米的二維（平面）或三維玻璃板被認為是薄膜陶瓷基板。它們可以由 v 製造

而 Si3N4 結合了優異的導熱性和機械性能。熱導率可指定為 90 W/mK，其斷裂韌性是同類陶瓷中最高的。這些特性表明 Si3N4 作為金屬化基板將表現出最高的可靠性。

氮化硼陶瓷具有卓越的強度和非常穩定的熱性能，使其成為製造用於熔融金屬霧化的噴嘴的理想選擇。

碳化硼 (B4C) 是由硼和碳組成的耐用陶瓷。碳化硼是已知最硬的物質之一，僅次於立方氮化硼和金剛石，位居第三。它是一種用於各種關鍵應用的共價材料，包括坦克裝甲、防彈背心和發動機破壞粉末。事實上，它是各種工業應用的首選材料

導熱係數高，熱膨脹係數低。這種特性的組合提供了卓越的抗熱震性，使碳化矽陶瓷在廣泛的行業中都有用。它也是一種半導體，其電氣特性使其適用於廣泛的應用。它還以其極高的硬度和耐腐蝕性而聞名。

氮化鋁具有高導熱率（170 W/mk、200 W/mk 和 230 W/mk）以及高體積電阻率和介電強度。

熱衝擊通常是高溫應用中出現故障的主要原因。它由三個部分組成：熱膨脹、導熱性和強度。快速的溫度變化，無論是上下變化，都會導致部件內部出現溫差，類似於冰塊在熱玻璃上摩擦造成的裂紋。由於不同的膨脹和收縮，運動

汽車行業正在通過利用先進的技術陶瓷在其生產過程和新一代汽車的特定部件中產生性能改進變化來跟上創新。