På grunn av den ideelle termiske ledningsevnen til berylliumoksidkeramikk, bidrar det til å forbedre levetiden og kvaliteten til enheter, lette utviklingen av enheter til miniatyrisering og øke kraften til enheter, derfor kan det brukes mye i romfart, kjernekraft , metallurgisk teknikk, elektronisk industri, rakettproduksjon, etc.

Aluminiumnitridkeramikk har utmerket total ytelse, er ideell for halvledersubstrater og strukturelle emballasjematerialer, og har betydelig brukspotensial i elektronikkindustrien.

Si3N4 er anerkjent som det beste keramiske substratmaterialet med høy varmeledningsevne og høy pålitelighet i inn- og utland. Selv om den termiske ledningsevnen til Si3N4 keramisk substrat er litt lavere enn for AlN, kan bøyestyrken og bruddseigheten nå mer enn det dobbelte av AlN. I mellomtiden er den termiske ledningsevnen til Si3N4 keramikk mye høyere enn for Al2O3 c

Siden det 21. århundre har skuddsikker keramikk utviklet seg raskt med flere typer, inkludert alumina, silisiumkarbid, borkarbid, silisiumnitrid, titanborid osv. Blant dem Alumina-keramikk (Al2O3), silisiumkarbidkeramikk (SiC) og borkarbidkeramikk (B4C) er de mest brukte.