Hexagonal Boron Nitride keramik är ett material med utmärkt motståndskraft mot hög temperatur och korrosion, hög värmeledningsförmåga och höga isoleringsegenskaper, det har mycket lovande för utveckling.

På grund av den idealiska värmeledningsförmågan hos berylliumoxidkeram bidrar det till att förbättra livslängden och kvaliteten på enheter, underlätta utvecklingen av enheter till miniatyrisering och öka kraften hos enheter, därför kan den användas i stor utsträckning inom rymd, kärnkraft , metallurgisk teknik, elektronikindustri, rakettillverkning, etc.

Aluminiumnitridkeramik har utmärkta övergripande prestanda, är idealiska för halvledarsubstrat och strukturella förpackningsmaterial och har betydande användningspotential inom elektronikindustrin.

Si3N4 är erkänt som det bästa keramiska substratmaterialet med hög värmeledningsförmåga och hög tillförlitlighet hemma och utomlands. Även om den termiska ledningsförmågan för Si3N4 keramiskt substrat är något lägre än den för AlN, kan dess böjhållfasthet och brottseghet nå mer än dubbelt så högt som för AlN. Samtidigt är värmeledningsförmågan för Si3N4 keram mycket högre än för Al2O3 c

Sedan 2000-talet har skottsäker keramik utvecklats snabbt med fler typer, inklusive aluminiumoxid, kiselkarbid, borkarbid, kiselnitrid, titanborid etc. Bland dem aluminiumoxidkeramik (Al2O3), kiselkarbidkeramik (SiC) och borkarbidkeramik (B4C) är de mest använda.