Produkt beschreiwung
Aluminiumnitrid, Formel AlN, ass e méi neit Material an der technescher Keramikfamill. Wärend seng Entdeckung virun iwwer 100 Joer geschitt ass, ass et an de leschten 20 Joer zu engem kommerziell liewensfäeg Produkt mat kontrolléierten a reproduzéierbare Properties entwéckelt ginn.
Aluminiumnitrid huet eng sechseckeg Kristallstruktur an ass e kovalent gebonnen Material. D'Benotzung vu Sinterhëllef a waarm Pressen ass erfuerderlech fir en dichten technescht Material ze produzéieren. D'Material ass stabil op ganz héich Temperaturen an inert Atmosphär. An der Loft fänkt d'Uewerflächeoxidatioun iwwer 700°C un. Eng Schicht aus Aluminiumoxid entsteet déi d'Material bis zu 1370°C schützt. Iwwer dës Temperatur geschitt bulk Oxidatioun. Aluminiumnitrid ass stabil a Waasserstoff a Kuelendioxidatmosphär bis zu 980 °C.
D'Material léist sech lues a Mineralsäuren duerch Korngrenzattack op, an a staarken Alkalien duerch Attack op d'Aluminiumnitridkären. D'Material hydrolyséiert lues a Waasser. Déi meescht aktuell Uwendungen sinn am Elektronikberäich wou d'Wärmeentfernung wichteg ass. Dëst Material ass interessant als net gëfteg Alternativ zu Beryllia. Metalliséierungsmethoden si verfügbar fir datt AlN amplaz Alumina a BeO fir vill elektronesch Uwendungen benotzt gëtt
Kierperlech Eegeschafte
✔ Gutt dielektresch Eegeschaften
✔ Héich thermesch Konduktivitéit
✔ Niddereg thermesch Expansiounskoeffizient, no bei deem vum Silizium
✔ Net-reaktiv mat normalen Halbleiterprozesschemikalien a Gasen
Uwendungen
✔ Heizkierper & Hëtztverdeeler
✔ Elektresch Isoléierer fir Laser
✔ Chucks, Clamp Réng fir semiconductor Veraarbechtung Equipement
✔ Elektresch Isoléierer
✔ Silicon wafer Ëmgank a Veraarbechtung
✔ Substrate & Isolatoren fir mikroelektronesch Geräter & Optoelektronesch Geräter
✔ Substrate fir elektronesch Packagen
✔ Chipträger fir Sensoren an Detektoren
✔ Chiplets
✔ Collets
✔ Laser Hëtzt Gestioun Komponente
✔ Geschmollte Metal Armaturen
✔ Packagen fir Mikrowellengeräter
Material Eegeschafte
Mechanesch | Moosseenheeten | SI/Metrisch | (Imperial) |
Dicht | gm/cc (lb/ft3) | 3.26 | -203.5 |
Porositéit | % (%) | 0 | 0 |
Faarf | — | gro | — |
Flexural Kraaft | MPa (lb/in2x103) | 320 | -46.4 |
Elastesche Modul | GPa (lb/in2x106) | 330 | -47.8 |
Schéier Modul | GPa (lb/in2x106) | — | — |
Bulk Modul | GPa (lb/in2x106) | — | — |
Poisson Verhältnis | — | 0.24 | -0.24 |
Kompressiv Kraaft | MPa (lb/in2x103) | 2100 | -304.5 |
Hardness | kg/mm2 | 1100 | — |
Frakturhärke KIC | MPa•m1/2 | 2.6 | — |
Maximal Gebrauch Temperatur | °C (°F) | — | — |
(keng Belaaschtung) |
Thermesch |
|
|
|
Thermesch Konduktivitéit | W/m•°K (BTU•in/ft2•hr•°F) | 140–180 | (970–1250) |
Koeffizient vun thermesch Expansioun | 10–6/°C (10–6/°F) | 4.5 | -2.5 |
Spezifesch Hëtzt | J/Kg•°K (Btu/lb•°F) | 740 | -0.18 |
Elektresch |
|
|
|
Dielektresch Kraaft | ac-kv/mm (Volt/mil) | 17 | -425 |
Dielektresch Konstant | @1 MHz | 9 | -9 |
Dissipatioun Faktor | @1 MHz | 0.0003 | -0.0003 |
Verloscht Tangent | @1 MHz | — | — |
Volume Resistivitéit | ohm•cm | >1014 | — |
Verpakung & Versand
Xiamen Wintrustek Advanced Materials Co., Ltd.
ADRESS:No.987 Huli Hi-Tech Park, Xiamen, China 361009
Telefon:0086 13656035645
Tel:0086-592-5716890
VERKAUF
E-Mail:sales@wintrustek.com
Whatsapp/Wechat:0086 13656035645
