Produkt beschreiwung
Aluminiumnitrid, Formel AlN, ass e méi neit Material an der technescher Keramikfamill. Wärend seng Entdeckung virun iwwer 100 Joer geschitt ass, ass et an de leschten 20 Joer zu engem kommerziell liewensfäeg Produkt mat kontrolléierten a reproduzéierbare Properties entwéckelt ginn.
Aluminiumnitrid huet eng sechseckeg Kristallstruktur an ass e kovalent gebonnen Material. D'Benotzung vu Sinterhëllef a waarm Pressen ass erfuerderlech fir en dichten technescht Material ze produzéieren. D'Material ass stabil op ganz héich Temperaturen an inert Atmosphär. An der Loft fänkt d'Uewerflächeoxidatioun iwwer 700°C un. Eng Schicht aus Aluminiumoxid entsteet déi d'Material bis zu 1370°C schützt. Iwwer dës Temperatur geschitt bulk Oxidatioun. Aluminiumnitrid ass stabil a Waasserstoff a Kuelendioxidatmosphär bis zu 980 °C.
D'Material léist sech lues a Mineralsäuren duerch Korngrenzattack op, an a staarken Alkalien duerch Attack op d'Aluminiumnitridkären. D'Material hydrolyséiert lues a Waasser. Déi meescht aktuell Uwendungen sinn am Elektronikberäich wou d'Wärmeentfernung wichteg ass. Dëst Material ass interessant als net gëfteg Alternativ zu Beryllia. Metalliséierungsmethoden si verfügbar fir datt AlN an der Plaz vun Aluminiumoxid a BeO fir vill elektronesch Uwendungen benotzt gëtt
Kierperlech Eegeschafte
✔ Gutt dielektresch Eegeschaften
✔ Héich thermesch Konduktivitéit
✔ Niddereg thermesch Expansiounskoeffizient, no bei deem vum Silizium
✔ Net-reaktiv mat normalen Halbleiterprozesschemikalien a Gasen
Uwendungen
✔ Heizkierper a Wärmeverdeeler
✔ Elektresch Isoléierer fir Laser
✔ Chucks, Clamp Réng fir semiconductor Veraarbechtung Equipement
✔ Elektresch Isoléierer
✔ Silicon wafer Ëmgank a Veraarbechtung
✔ Substrate & Isolatoren fir mikroelektronesch Geräter & Optoelektronesch Geräter
✔ Substrate fir elektronesch Packagen
✔ Chipträger fir Sensoren an Detektoren
✔ Chiplets
✔ Collets
✔ Laser Hëtzt Gestioun Komponente
✔ Geschmollte Metal Armaturen
✔ Packagen fir Mikrowellengeräter
Material Eegeschafte
Mechanesch | Moosseenheeten | SI/Metrisch | (Imperial) |
Dicht | gm/cc (lb/ft3) | 3.26 | -203.5 |
Porositéit | % (%) | 0 | 0 |
Faarf | — | gro | — |
Flexural Kraaft | MPa (lb/in2x103) | 320 | -46.4 |
Elastesche Modul | GPa (lb/in2x106) | 330 | -47.8 |
Schéier Modul | GPa (lb/in2x106) | — | — |
Bulk Modul | GPa (lb/in2x106) | — | — |
Poisson Verhältnis | — | 0.24 | -0.24 |
Kompressiv Kraaft | MPa (lb/in2x103) | 2100 | -304.5 |
Hardness | kg/mm2 | 1100 | — |
Frakturhärke KIC | MPa•m1/2 | 2.6 | — |
Maximal Gebrauch Temperatur | °C (°F) | — | — |
(keng Belaaschtung) |
Thermesch |
|
|
|
Thermesch Konduktivitéit | W/m•°K (BTU•in/ft2•hr•°F) | 140–180 | (970–1250) |
Koeffizient vun thermesch Expansioun | 10–6/°C (10–6/°F) | 4.5 | -2.5 |
Spezifesch Hëtzt | J/Kg•°K (Btu/lb•°F) | 740 | -0.18 |
Elektresch |
|
|
|
Dielektresch Kraaft | ac-kv/mm (Volt/mil) | 17 | -425 |
Dielektresch Konstant | @1 MHz | 9 | -9 |
Dissipatioun Faktor | @1 MHz | 0.0003 | -0.0003 |
Verloscht Tangent | @1 MHz | — | — |
Volume Resistivitéit | ohm•cm | >1014 | — |
Verpakung & Versand
Xiamen Wintrustek Advanced Materials Co., Ltd.
ADRESS:No.987 Huli Hi-Tech Park, Xiamen, China 361009
Telefon:0086 13656035645
Tel:0086-592-5716890
VERKAUF
E-Mail:sales@wintrustek.com
Whatsapp/Wechat:0086 13656035645
