Wéinst der idealer thermescher Konduktivitéit vu Berylliumoxid Keramik ass et förderlech fir d'Liewensdauer an d'Qualitéit vun den Apparater ze verbesseren, d'Entwécklung vun den Apparater op d'Miniaturiséierung ze erliichteren an d'Kraaft vun den Apparater ze erhéijen, dofir kann et wäit an der Raumfaart, Atomkraaft benotzt ginn. , Metallurgesch Ingenieurswiesen, Elektronesch Industrie, Rakéitenfabrikatioun, asw.

Aluminiumnitrid Keramik huet exzellent Gesamtleistung, sinn ideal fir Hallefleitsubstrater a strukturell Verpackungsmaterialien, an hunn e wesentleche Applikatiounspotenzial an der Elektronikindustrie.

Si3N4 gëtt als dat bescht Keramik Substratmaterial mat héijer thermescher Konduktivitéit an héijer Zouverlässegkeet doheem an am Ausland unerkannt. Obwuel d'thermesch Leit vun Si3N4 Keramik Substrat liicht manner ass wéi déi vun AlN, seng flexural Kraaft a Fraktur Zähegkeet kann méi wéi zweemol déi vun AlN erreechen. Mëttlerweil ass d'thermesch Konduktivitéit vu Si3N4 Keramik vill méi héich wéi déi vun Al2O3 c

Zënter dem 21. Joerhonnert huet sech bulletproof Keramik séier mat méi Typen entwéckelt, dorënner Alumina, Silicon Carbide, Boron Carbide, Silicon Nitride, Titan Boride, etc. Dorënner Alumina Keramik (Al2O3), Silicon Carbide Keramik (SiC) a Bor Carbide Keramik (B4C) sinn déi meescht benotzt.