Fir elektronesch Verpakung spillen Keramik Substrater eng Schlësselroll bei der Verbindung vun den internen an externen Wärmevergëftungskanäl, souwéi elektresch Verbindung a mechanesch Ënnerstëtzung. Keramik Substrater hunn d'Virdeeler vun héich thermesch Leit, gutt Hëtzt Resistenz, héich mechanesch Kraaft, an niddereg Koeffizient vun thermesch Expansioun, a si sinn déi gemeinsam Substrat Material fir Muecht semiconductor Apparat Verpakung.
Wat d'Struktur an d'Fabrikatiounsprozess ugeet, sinn Keramiksubstrater a 5 Typen klasséiert.
High-Temperature Co-fired Multilayer Ceramic Substrates (HTCC)
Niddereg-Temperature Co-fired Keramik Substrate (LTCC)
Décke Film Keramik Substrate (TFC)
Direkt gebonnen Kupfer Keramik Substrat (DBC)
Direkt Plated Kupfer Keramik Substrate (DPC)
Verschidde Produktiounsprozesser
Direct Bonded Copper (DBC) Keramiksubstrat gëtt produzéiert andeems Sauerstoff tëscht Kupfer a Keramik bäigefüügt gëtt fir Cu-O eutektesch Léisung tëscht 1065 ~ 1083 ℃ ze kréien, gefollegt vun der Reaktioun fir Zwëschenphase (CuAlO2 oder CuAl2O4) ze kréien, sou datt déi chemesch metallurgesch Kombinatioun realiséiert gëtt. vun Cu-Plack a Keramik-Substrat, an dann endlech d'grafesch Virbereedung duerch Lithographie-Technologie ze realiséieren fir de Circuit ze bilden.
Den thermesche Expansiounskoeffizient vum DBC-Substrat ass ganz no bei deem vun LED-epitaxialen Materialien, wat den thermesche Stress, deen tëscht dem Chip an dem Substrat generéiert gëtt, wesentlech reduzéiere kann.
Direct Plated Copper (DPC) Keramik Substrat gëtt gemaach andeems Dir eng Kupferschicht um Keramik Substrat sputtert, dann aussetzt, ätzt, offilmt, a schliisslech d'Dicke vun der Kupferlinn duerch Elektropletterung oder chemesch Platéierung erhéicht, nodeems de Photoresist ewechgeholl gouf, metalliséierter Linn ass fäerdeg.
Verschidde Virdeeler an Nodeeler
Virdeeler vun DBC Keramik Substrat
Zënter Kupferfolie gutt elektresch an thermesch Konduktivitéit huet, huet DBC d'Virdeeler vu gudder thermescher Konduktivitéit, gudder Isolatioun, héich Zouverlässegkeet, a gouf wäit an IGBT, LD, a CPV Packagen benotzt. Besonnesch wéinst der méi décker Kupferfolie (100 ~ 600μm) huet et offensichtlech Virdeeler am Beräich vun der IGBT an der LD Verpackung.
Nodeeler vum DBC Keramik Substrat
De Produktiounsprozess beschäftegt eng eutektesch Reaktioun tëscht Cu an Al2O3 bei héijen Temperaturen, wat en héijen Niveau vu Produktiounsausrüstung a Prozesskontrolle erfuerdert, sou datt d'Käschte héich sinn.
Wéinst der einfacher Generatioun vu Mikroporositéit tëscht der Al2O3 a Cu Schicht, déi d'thermesch Schockbeständegkeet vum Produkt reduzéiert, ginn dës Nodeeler de Flaschenhals vun der DBC Substrat Promotioun.
Virdeeler vum DPC Keramik Substrat
De Low-Temperaturprozess (ënner 300 ° C) gëtt benotzt, wat déi negativ Auswierkunge vun der héijer Temperatur op d'Material oder d'Linnstruktur komplett vermeit, an och d'Käschte vum Fabrikatiounsprozess reduzéiert.
D'Benotzung vun dënnem Film a Photolithographie Technologie, sou datt de Substrat op der Metalllinn méi fein ass, sou datt den DPC Substrat ideal ass fir d'Ausrichtung vun héich Präzisiounsufuerderunge fir d'Verpakung vun elektroneschen Apparater.
Nodeeler vun DPC Keramik Substrat
Limitéiert deck vun der electroplated deposéiert Koffer Schicht an héich Pollutioun vun electroplating Offall Léisung.
D'Verbindungsstäerkt tëscht der Metallschicht an der Keramik ass niddereg, an d'Zouverlässegkeet vum Produkt ass niddereg wann se applizéiert ginn.
