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熱分解窒化ホウ素 VGF るつぼ

VGFるつぼは、GaAs、InP、CZGaP、Ge結晶などの垂直勾配凍結(VGF)技術を用いた結晶を合成するための容器の一種です。
  • 高純度99.999%
  • 高い結晶化率
  • 長寿命
  • 優れた熱安定性
  • 製品の詳細

Pyrolytic Boron Nitride PBN Products

熱分解窒化ホウ素 PBN 製品

製品の概要

熱分解窒化ホウ素 (PBN) は、アンモニア ガス (NH3) と三塩化ホウ素 (BCI3) などのガス状ハロゲン化ホウ素を高温 CVD 炉内で反応させて堆積させる、よく知られた化学蒸着 (CVD) プロセスによって製造されます。熱分解グラファイトなどの適切な基板上の PBN。

PBN は、その固有の純度、優れた機械的特性により、高温炉や電気部品、半導体、ゲルマニウム (Ge)、ガリウムヒ素 (GaAs)、リン酸インジウム (InP) などのマイクロ波複合結晶に優れた選択肢として知られています。 、物理化学的安定性。 PBN は真空中で 1800°C、窒素中で 2000°C に耐えることができるため、炉のコンポーネントや溶解容器に最適な選択肢として導入されています。

 

VGFるつぼは、GaAs、InP、CZGaP、Ge結晶などの垂直勾配凍結(VGF)技術を用いた結晶を合成するための容器の一種です。


代表的な特性

  • 六方晶系の結晶格子を有する層状構造

  • 結晶の基底面に垂直な特殊な性質

  • 優れた構造的および物理化学的安定性

  • 異方性構造

  • 高い熱安定性

  • 非湿潤性

  • 無毒


代表的なアプリケーション

  • 半導体結晶成長用るつぼ

  • RFおよびマイクロ波用の波動管

  • マイクロ波放射を受ける窓

  • 電気絶縁体

 


PBN 製品範囲

独特の特性と高い構造的および物理化学的安定性を備えた PBN は、次のような場合に最適な選択肢となります。


  • 垂直勾配凍結 (VGF) プロセス用の PBN るつぼ

  • 液体カプセル化チョクラルスキー (LEC) プロセス用の PBN るつぼ

  • 分子線エピタキシー (MBE) プロセス用の PBN コンテナ

  • 化合物半導体および合金加工用のPBNボート

  • PBN 有機金属 CVD (MOCVD) 絶縁ボードと MBE 絶縁リング

  • 高温真空装置用PBN電気絶縁ブッシュ

  • スパイラル構造のPBN進行波管(TWT)

 

GDMS分析

分析要素

結果(μg/g)

分析要素

結果(μg/g)

Li

<0.005

Si

1.7

F

<0.005

CI

<0.005

Na

<0.005

S

<0.005

 



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梱包と発送

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