Karena konduktivitas termal keramik berilium oksida yang ideal, kondusif untuk meningkatkan masa pakai dan kualitas perangkat, memfasilitasi pengembangan perangkat untuk miniaturisasi dan meningkatkan daya perangkat, oleh karena itu, dapat digunakan secara luas di ruang angkasa, tenaga nuklir , teknik metalurgi, industri elektronik, pembuatan roket, dll.

Keramik Aluminium Nitrida memiliki kinerja keseluruhan yang sangat baik, ideal untuk substrat semikonduktor dan bahan kemasan struktural, serta memiliki potensi aplikasi yang signifikan dalam industri elektronik.

Si3N4 diakui sebagai bahan substrat keramik terbaik dengan konduktivitas termal tinggi dan keandalan tinggi di dalam dan luar negeri. Meskipun konduktivitas termal substrat keramik Si3N4 sedikit lebih rendah daripada AlN, kekuatan lentur dan ketangguhan patahnya dapat mencapai lebih dari dua kali lipat AlN. Sementara itu, konduktivitas termal keramik Si3N4 jauh lebih tinggi daripada Al2O3 c

Sejak abad ke-21, keramik antipeluru berkembang pesat dengan lebih banyak jenis, antara lain Alumina, Silicon Carbide, Boron carbide, silicon Nitrida, Titanium Boride, dll. Diantaranya, Keramik Alumina (Al2O3), Keramik Silicon Carbide (SiC) dan Keramik Boron Carbide (B4C) adalah yang paling banyak digunakan.