Productos pirolíticos de nitruro de boro PBN
El nitruro de boro pirolítico (PBN) se fabrica mediante el conocido proceso de deposición química de vapor (CVD) en el que el gas amoníaco (NH3) y un haluro de boro gaseoso como el tricloruro de boro (BCI3) reaccionan en un horno CVD de alta temperatura para depositar. PBN sobre un sustrato apropiado como el Grafito Pirolítico.
PBN es conocido como una excelente opción para hornos de alta temperatura y componentes eléctricos, semiconductores y cristales compuestos de microondas como germanio (Ge), arseniuro de galio (GaAs) y fosfato de indio (InP) debido a su pureza intrínseca y propiedades mecánicas superiores. y estabilidad fisicoquímica. El PBN puede soportar 1800°C en vacío y 2000°C en nitrógeno, lo que lo presenta como una buena opción para componentes de hornos y recipientes de fusión.
El crisol VGF es un tipo de recipiente para la síntesis de cristales con la técnica de congelación de gradiente vertical (VGF), como los cristales GaAs, InP, CZGaP y Ge.
Estructura en capas con red cristalina hexagonal.
Propiedades especiales perpendiculares al plano basal del cristal.
Estabilidad estructural y fisicoquímica superior.
Estructura anisotrópica
Alta estabilidad térmica
No humectante
No tóxico
Crisoles para el crecimiento de cristales semiconductores.
Tubos de ondas para RF y microondas.
Ventanas sometidas a radiación de microondas.
Aislante eléctrico
PBN con propiedades únicas y alta estabilidad estructural y fisicoquímica puede ser la mejor opción como:
Crisoles de PBN para el proceso de congelación en gradiente vertical (VGF)
Crisoles de PBN para el proceso de Encapsulación Líquida Czochralski (LEC)
Contenedores PBN para el proceso de Epitaxia de Haz Molecular (MBE)
Barcos PBN para semiconductores compuestos y procesamiento de aleaciones.
Placas aislantes PBN Metal-Organic CVD (MOCVD) y anillos aislantes MBE
Bujes de aislamiento eléctrico PBN para equipos de vacío de alta temperatura
Tubo de ondas viajeras (TWT) PBN con estructura en espiral
Elemento analítico | Resultado (μg/g) | Elemento analítico | Resultado (μg/g) |
Li | <0.005 | Si | 1.7 |
F | <0.005 | CI | <0.005 |
Na | <0.005 | S | <0.005 |
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