El Nitruro de Aluminio, fórmula AlN, es un material más nuevo en la familia de las cerámicas técnicas. Si bien su descubrimiento ocurrió hace más de 100 años, se ha convertido en un producto comercialmente viable con propiedades controladas y reproducibles en los últimos 20 años.
El nitruro de aluminio tiene una estructura cristalina hexagonal y es un material unido covalentemente. Se requiere el uso de auxiliares de sinterización y prensado en caliente para producir un material de grado técnico denso. El material es estable a muy altas temperaturas en atmósferas inertes. En el aire, la oxidación superficial comienza por encima de los 700°C. Se forma una capa de óxido de aluminio que protege el material hasta 1370°C. Por encima de esta temperatura se produce oxidación en masa. El nitruro de aluminio es estable en atmósferas de hidrógeno y dióxido de carbono hasta 980°C.
El material se disuelve lentamente en ácidos minerales a través del ataque a los límites de grano y en álcalis fuertes a través del ataque a los granos de nitruro de aluminio. El material se hidroliza lentamente en agua. La mayoría de las aplicaciones actuales se encuentran en el área de la electrónica, donde la eliminación de calor es importante. Este material es de interés como una alternativa no tóxica a la beryllia. Los métodos de metalización están disponibles para permitir que se use AlN en lugar de alúmina y BeO para muchas aplicaciones electrónicas.
✔ Buenas propiedades dieléctricas
✔ Alta conductividad térmica
✔ Bajo coeficiente de dilatación térmica, cercano al del Silicio
✔ No reactivo con gases y productos químicos de proceso de semiconductores normales
✔ Disipadores de calor y difusores de calor
✔ Aislantes eléctricos para láseres
✔ Mandriles, anillos de sujeción para equipos de procesamiento de semiconductores
✔ Aislantes eléctricos
✔ Manipulación y procesamiento de obleas de silicio
✔ Sustratos y aislantes para dispositivos microelectrónicos y optoelectrónicos
✔ Sustratos para paquetes electrónicos.
✔ Portadores de chips para sensores y detectores
✔ Chiplet
✔ pinzas
✔ Componentes de gestión de calor láser
✔ accesorios de metal fundido
✔ Paquetes para dispositivos de microondas.
Mecánico | Unidades de medida | SI/métrico | (Imperial) |
Densidad | gm/cc (lb/pie3) | 3.26 | -203.5 |
Porosidad | % (%) | 0 | 0 |
Color | — | gris | — |
Fuerza flexible | MPa (lb/in2x103) | 320 | -46.4 |
Modulos elasticos | GPa (lb/in2x106) | 330 | -47.8 |
Módulo de corte | GPa (lb/in2x106) | — | — |
Módulo de volumen | GPa (lb/in2x106) | — | — |
El coeficiente de Poisson | — | 0.24 | -0.24 |
Fuerza compresiva | MPa (lb/in2x103) | 2100 | -304.5 |
Dureza | kg/mm2 | 1100 | — |
Tenacidad a la fractura KIC | MPa•m1/2 | 2.6 | — |
Temperatura máxima de uso | °C (°F) | — | — |
(sin carga) | |||
Térmico | |||
Conductividad térmica | W/m•°K (BTU•in/ft2•hr•°F) | 140–180 | (970–1250) |
Coeficiente de expansión termal | 10–6/°C (10–6/°F) | 4.5 | -2.5 |
Calor especifico | J/Kg•°K (Btu/lb•°F) | 740 | -0.18 |
Eléctrico | |||
Resistencia dieléctrica | ac-kv/mm (voltios/mil) | 17 | -425 |
Constante dieléctrica | @ 1 MHz | 9 | -9 |
Factor de disipación | @ 1 MHz | 0.0003 | -0.0003 |
Tangente de pérdida | @ 1 MHz | — | — |
Resistividad de volumen | ohmios•cm | >1014 | — |
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