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Carburo de boro en semiconductor
2025-01-08

Boron Carbide in Semiconductor

                                                               (Anillo de fusor B4C producido porWintrustek)


Carbide de Boran (B₄C)se considera un material de cerámica técnica excepcionalmente duro y resistente al desgaste debido a sus características. Debido a esto, es perfecto para manejar materiales muy duros, ya sea que estén sinterizados para actuar como una boquilla de explosión o en forma de polvo o pasta y se usan como agente abrasivo o de lapes. Los productos hechos de carburo de boro tienen una vida útil muy larga, poca ropa y precios asequibles. Además, el nuevo equipo militar utiliza construcciones compuestas livianas hechas de carburo de boro para protección balística. Esta sustancia versátil también se usa como relleno, por ejemplo, para aumentar la resistencia de un material al desgaste en metales o plásticos, como semiconductores de alta temperatura o como absorbedores de neutrones en reactores nucleares.

 

Cerámica de carburo de boroCon capacidades semiconductoras y una fuerte conductividad térmica se pueden emplear como componentes semiconductores de alta temperatura, así como discos de distribución de gases, anillos de enfoque, ventanas de microondas o infrarrojos y enchufes de CC en el sector semiconductor de semiconductores. Cuando se combina con C, B4C se puede utilizar como un elemento termoeléctrico resistente a la radiación y como un elemento termopar de alta temperatura con una temperatura de servicio de hasta 2300 ° C.

 


Anillo de enfoque B4C

Los productos utilizados en el paso de grabado de la fabricación de obleas son anillos de enfoque. Mantiene la oblea estacionaria para que la densidad de plasma se mantenga y proteja a las paredes laterales de la oblea de contaminación.

En el pasado, los anillos de enfoque estaban hechos de silicio y cuarzo. Sin embargo, la necesidad decarburo de silicio (sic)Los anillos de enfoque se expandieron junto con el uso del grabado seco sobre el grabado húmedo para las fabricaciones de obleas avanzadas.

B4C es resistente al plasma y altas temperaturas, al igual queSic. Debido a que B4C es más difícil, se pueden utilizar por períodos de tiempo más largos por unidad.

 

Características principales (anillo de enfoque B4C)

  • Dureza extremadamente alta

  • Conductor de electricidad

  • Excelente resistencia al desgaste en plasma

  • Alta rigidez específica 

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