El material ceràmic refractari d'alta temperatura 3YSZ, o el que podem anomenar policristal de zirconi tetragonal (TZP), està fet d'òxid de zirconi que s'ha estabilitzat amb un 3% mol d'òxid d'itri.

Un compost no metàl·lic compost de silici i nitrogen, el nitrur de silici (Si3N4) també és un material ceràmic avançat amb la barreja més adaptable de propietats mecàniques, tèrmiques i elèctriques. A més, en comparació amb la majoria de les altres ceràmiques, és una ceràmica d'alt rendiment amb un baix coeficient d'expansió tèrmica que ofereix una excel·lent resistència al xoc tèrmic.

Pirolític BN o PBN és l'abreviatura de nitrur de bor pirolític. És un tipus de nitrur de bor hexagonal creat pel mètode de deposició química de vapor (CVD), també és un nitrur de bor extremadament pur que pot arribar a més del 99,99%, sense cobrir gairebé porositat.

El carbur de silici (SiC) és un material ceràmic que es cultiva amb freqüència com un sol cristall per a aplicacions de semiconductors. A causa de les seves propietats inherents al material i el creixement d'un sol cristall, és un dels materials semiconductors més duradors del mercat. Aquesta durabilitat s'estén molt més enllà de la seva funcionalitat elèctrica.

Les ceràmiques de nitrur de bor (BN) es troben entre les ceràmiques de grau tècnic més efectives. Combinen propietats resistents a la temperatura excepcionals, com ara altes conductivitats tèrmiques, amb una alta rigidesa dielèctrica i una inercia química excepcional per resoldre problemes en algunes de les àrees d'aplicació més exigents del món.

Els substrats fets de ceràmica de pel·lícula prima també es coneixen com a materials semiconductors. Està format per una sèrie de capes fines que s'han construït utilitzant mètodes de recobriment al buit, deposició o sputtering. Les làmines de vidre amb un gruix inferior a un mil·límetre que és bidimensional (plana) o tridimensional es consideren substrats ceràmics de pel·lícula fina. Es poden fabricar a partir d'un v

Mentre que Si3N4 combina una excel·lent conductivitat tèrmica i un rendiment mecànic. La conductivitat tèrmica es pot especificar a 90 W/mK, i la seva tenacitat a la fractura és la més alta entre les ceràmiques comparades. Aquestes característiques suggereixen que Si3N4 mostrarà la màxima fiabilitat com a substrat metalitzat.

Les ceràmiques de nitrur de bor tenen una força i un rendiment tèrmic notables que són notablement estables, cosa que les converteix en una opció ideal per fabricar els broquets que s'utilitzen en l'atomització del metall fos.

El carbur de bor (B4C) és una ceràmica duradora composta de bor i carboni. El carbur de bor és una de les substàncies més dures conegudes, ocupant el tercer lloc per darrere del nitrur de bor cúbic i el diamant. És un material covalent que s'utilitza en una varietat d'aplicacions crucials, com ara blindatges de tancs, armilles antibales i pols de sabotatge del motor. De fet, és el material preferit per a una varietat d'aplicacions industrials

Alta conductivitat tèrmica i baix coeficient d'expansió tèrmica. Aquesta combinació de propietats proporciona una resistència al xoc tèrmica excepcional, fent que la ceràmica de carbur de silici sigui útil en una àmplia gamma d'indústries. També és un semiconductor i les seves propietats elèctriques el fan adequat per a una àmplia gamma d'aplicacions. També és conegut per la seva extrema duresa i resistència a la corrosió.