Đối với bao bì điện tử, chất nền gốm đóng một vai trò quan trọng trong việc kết nối các kênh tản nhiệt bên trong và bên ngoài, cũng như cả kết nối điện và hỗ trợ cơ học. Chất nền gốm có ưu điểm là dẫn nhiệt cao, chịu nhiệt tốt, độ bền cơ học cao, hệ số giãn nở nhiệt thấp, là vật liệu nền phổ biến cho

Nguyên tắc cơ bản của lớp giáp bảo vệ là tiêu thụ năng lượng đạn, làm chậm nó và khiến nó trở nên vô hại. Trong khi hầu hết các vật liệu kỹ thuật thông thường, chẳng hạn như kim loại, hấp thụ năng lượng thông qua biến dạng cấu trúc, thì vật liệu gốm hấp thụ năng lượng thông qua quá trình phân mảnh vi mô.

Gốm Boron Nitride hình lục giác là vật liệu có khả năng chống ăn mòn và nhiệt độ cao tuyệt vời, tính dẫn nhiệt cao và đặc tính cách nhiệt cao, nó có nhiều hứa hẹn để phát triển.

Do tính dẫn nhiệt lý tưởng của gốm oxit berili, nó có lợi cho việc cải thiện tuổi thọ và chất lượng của thiết bị, tạo điều kiện phát triển các thiết bị để thu nhỏ và tăng sức mạnh của thiết bị, do đó, nó có thể được sử dụng rộng rãi trong hàng không vũ trụ, năng lượng hạt nhân , kỹ thuật luyện kim, công nghiệp điện tử, sản xuất tên lửa, v.v.

Gốm nhôm Nitride có hiệu suất tổng thể tuyệt vời, lý tưởng cho chất nền bán dẫn và vật liệu đóng gói kết cấu, đồng thời có tiềm năng ứng dụng đáng kể trong ngành công nghiệp điện tử.

Si3N4 được công nhận là vật liệu nền gốm tốt nhất, có độ dẫn nhiệt cao và độ tin cậy cao trong và ngoài nước. Mặc dù độ dẫn nhiệt của nền gốm Si3N4 thấp hơn một chút so với AlN, nhưng độ bền uốn và độ dẻo dai của nó có thể đạt hơn hai lần so với AlN. Trong khi đó, tính dẫn nhiệt của gốm Si3N4 cao hơn nhiều so với Al2O3 c

Từ thế kỷ 21, gốm sứ chống đạn đã phát triển nhanh chóng với nhiều chủng loại hơn, bao gồm Alumina, Silicon Carbide, Boron carbide, silicon Nitride, Titanium Boride,… Trong đó phải kể đến Alumina Ceramics (Al2O3), Silicon Carbide ceramic (SiC) và Boron Carbide Ceramics. (B4C) được sử dụng rộng rãi nhất.