Алюминий Нитрид керамикасы гомуми күрсәткечләргә ия, ярымүткәргеч субстратлар һәм структур төрү материаллары өчен идеаль, һәм электроника өлкәсендә куллану потенциалына ия.

Si3N4 югары җылылык үткәрүчәнлеге һәм илдә һәм чит илдә югары ышанычлылыгы булган иң яхшы керамик субстрат материал булып танылды. Si3N4 керамик субстратның җылылык үткәрүчәнлеге AlNныкыннан бераз түбән булса да, аның флексур көче һәм сыну катылыгы AlNныкыннан икеләтә күбрәк булырга мөмкин. Шул ук вакытта, Si3N4 керамикасының җылылык үткәрүчәнлеге Al2O3 cныкыннан күпкә югарырак

XXI гасырдан пуля үткәрми торган керамика күбрәк төрләр белән тиз үсә, шул исәптән Алумина, Кремний Карбид, Бор карбид, Кремний Нитрид, Титан Борид һ.б. Алар арасында Алумина Керамика (Al2O3), Кремний Карбид Керамикасы (SiC) һәм Бор Карбид Керамикасы. (B4C) иң киң кулланыла.