Хәзерге вакытта әйләнә-тирә мохитне саклау һәм энергияне саклау өчен үсә барган тавыш өйдәге яңа энергияле электр машиналарын яктыртты. Powerгары көчле пакет җайланмалары машинаның тизлеген көйләүдә һәм AC һәм DC конверсиясен саклауда хәлиткеч роль уйныйлар. Packгары ешлыктагы җылылык велосипедында электрон упаковкаларның җылылык таралуы өчен катгый таләпләр куелган, эш шартларының катлаулылыгы һәм төрлелеге упаковка материалларына яхшы җылылык шокына каршы тору һәм ярдәмче роль уйнау өчен югары көч таләп итә. Моннан тыш, югары көчәнеш, югары ток һәм югары ешлык белән характерланган заманча электр электроникасы технологиясенең тиз үсеше белән, бу технологиядә кулланылган энергия модулларының җылылык тарату эффективлыгы кискенләште. Электрон төрү системаларында керамик субстрат материаллар җылылыкның эффектив таралуы өчен ачкыч, алар шулай ук эш шартларының катлаулылыгына җавап итеп югары көч һәм ышанычлылыкка ия. Соңгы елларда массалы җитештерелгән һәм киң кулланылган төп керамик субстратлар - Al2O3, BeO, SiC, Si3N4, AlN һ.б.
Al2O3 керамикасы гади әзерлек процессы, яхшы изоляция һәм югары температурага каршы тору нигезендә җылылык тарату субстрат индустриясендә мөһим роль уйный. Ләкин, Al2O3-ның түбән җылылык үткәрүчәнлеге югары көч һәм югары көчәнеш җайланмасының үсеш таләпләренә җавап бирә алмый, һәм ул түбән җылылык тарату таләпләре булган эш шартларында гына кулланыла. Моннан тыш, түбән иелү көче шулай ук җылылык тарату субстратлары буларак Al2O3 керамикасының куллану күләмен чикли.
BeO керамик субстратлары югары җылылык үткәрүчәнлегенә һәм түбән диэлектрик тотрыклылыкка ия, нәтиҗәле җылылык тарату таләпләренә туры килә. Ләкин бу эшчеләрнең сәламәтлегенә тәэсир итүче токсиклылыгы аркасында зур масштаблы куллану өчен уңайлы түгел.
AlN керамикасы югары җылылык үткәрүчәнлеге аркасында җылылык тарату субстратына кандидат материалы булып санала. Ләкин AlN керамикасының начар җылылык шокына каршы торуы, җиңел деликция, түбән көч һәм катгыйлыгы бар, бу катлаулы мохиттә эшләргә ярдәм итми, һәм кушымталарның ышанычлылыгын тәэмин итү кыен.
SiC керамикасы югары җылылык үткәрүчәнлегенә ия, аның югары диэлектрик югалуы һәм түбән ватылу көчәнеше аркасында, ул югары ешлыклы һәм көчәнешле эш шартларында куллану өчен яраксыз.
Si3N4 югары җылылык үткәрүчәнлеге һәм илдә һәм чит илдә югары ышанычлылыгы булган иң яхшы керамик субстрат материал булып танылды. Si3N4 керамик субстратның җылылык үткәрүчәнлеге AlNныкыннан бераз түбән булса да, аның флексур көче һәм сыну катылыгы AlNныкыннан икеләтә күбрәк булырга мөмкин. Шул ук вакытта, Si3N4 керамикасының җылылык үткәрүчәнлеге Al2O3 керамикасына караганда күпкә югарырак. Моннан тыш, Si3N4 керамик субстратларның җылылык киңәю коэффициенты SiC кристаллларына якын, 3-нче буын ярымүткәргеч субстрат, бу аңа SiC кристалл материалы белән тотрыклырак туры килергә мөмкинлек бирә. Si3N4 өченче буын SiC ярымүткәргеч электр җайланмалары өчен югары җылылык үткәрүчән субстратлары өчен өстенлекле материал булып тора.
