Berilli oksid keramikasynyň ideal ýylylyk geçirijiligi sebäpli, enjamlaryň hyzmat ediş möhletini we hilini ýokarlandyrmak, miniatýurizasiýa we enjamlaryň güýjüni ýokarlandyrmak üçin enjamlaryň ösmegine kömek edýär, şonuň üçin howa giňişliginde, ýadro energiýasynda giňden ulanylyp bilner , metallurgiýa in engineeringenerçiligi, elektron senagaty, raketa önümçiligi we ş.m.

Alýumin Nitride keramikasy ajaýyp umumy öndürijilige eýe, ýarymgeçiriji substratlar we gurluş gaplaýyş materiallary üçin amatly we elektronika pudagynda möhüm amaly potensiala eýe.

Si3N4 ýokary ýylylyk geçirijiligi we içerde we daşary ýurtda ýokary ygtybarlylygy bolan iň oňat keramiki substrat materialy hökmünde ykrar edildi. Si3N4 keramiki substratyň ýylylyk geçirijiligi AlN-den birneme pes bolsa-da, onuň flexural güýji we döwük berkligi AlN-den iki esse köp bolup biler. Bu aralykda, Si3N4 keramiki ýylylyk geçirijiligi Al2O3 c-den has ýokary

21-nji asyrdan başlap, ok geçirmeýän keramika, Alumina, Silikon Karbid, Bor karbidi, Silikon Nitride, Titan Boride we ş.m. ýaly görnüşler bilen çalt ösdi, olaryň arasynda Alumina Keramika (Al2O3), Silikon Karbid keramikasy (SiC) we Bor Carbide Keramika. (B4C) iň giňden ulanylýar.