Pateicoties ideālajai berilija oksīda keramikas siltumvadītspējai, tā uzlabo ierīču kalpošanas laiku un kvalitāti, atvieglo ierīču izstrādi līdz miniaturizācijai un ierīču jaudas palielināšanai, tāpēc to var plaši izmantot kosmosa, kodolenerģijas jomā. , metalurģijas inženierija, elektroniskā rūpniecība, raķešu ražošana utt.

Alumīnija nitrīda keramikai ir lieliska vispārējā veiktspēja, tā ir ideāli piemērota pusvadītāju substrātiem un strukturālajiem iepakojuma materiāliem, un tai ir ievērojams pielietojuma potenciāls elektronikas nozarē.

Si3N4 ir atzīts par labāko keramikas substrāta materiālu ar augstu siltumvadītspēju un augstu uzticamību gan mājās, gan ārvalstīs. Lai gan Si3N4 keramikas substrāta siltumvadītspēja ir nedaudz zemāka nekā AlN, tā lieces izturība un izturība pret lūzumiem var sasniegt vairāk nekā divas reizes lielāku nekā AlN. Tikmēr Si3N4 keramikas siltumvadītspēja ir daudz augstāka nekā Al2O3 c

Kopš 21. gadsimta ložu necaurlaidīgā keramika ir strauji attīstījusies, izmantojot vairāk veidu, tostarp alumīnija oksīdu, silīcija karbīdu, bora karbīdu, silīcija nitrīdu, titāna borīdu utt. Tostarp alumīnija oksīda keramika (Al2O3), silīcija karbīda keramika (SiC) un bora karbīda keramika. (B4C) ir visplašāk izmantotie.