Siliziumkarbid (SiC) ass e Keramikmaterial dat dacks als Eenkristall fir Hallefleitapplikatiounen ugebaut gëtt. Duerch seng inherent Materialeigenschaften an Eenkristallwachstum ass et ee vun den haltbarsten Hallefleitmaterialien um Maart. Dës Haltbarkeet erstreckt sech wäit iwwer seng elektresch Funktionalitéit.
Kierperlech Haltbarkeet
D'kierperlech Haltbarkeet vum SiC gëtt am beschten illustréiert andeems se seng net-elektronesch Uwendungen ënnersicht: Sandpapier, Extrusiounsstierwen, Kugelbeständeg Westplacke, High-Performance Bremsscheiwen, a Flamemünder. SiC wäert en Objet kraazt am Géigesaz zu sech selwer kraazt. Wann se an High-Performance Bremsscheiwen benotzt ginn, gëtt hir Resistenz géint laangfristeg Verschleiung an haarden Ëmfeld op den Test gesat. Fir ze benotzen als bulletproof Westplack, muss SiC souwuel héich kierperlech wéi och Impaktstäerkt hunn.
Chemesch an elektresch Haltbarkeet
SiC ass bekannt fir seng chemesch Inertitéit; et ass net beaflosst vu souguer déi aggressivste Chemikalien, wéi Alkalien a geschmollte Salzer, och wa se bis zu 800 °C Temperaturen ausgesat sinn. Wéinst senger Resistenz géint chemesch Attacke ass SiC net korrosiv a kann haart Ëmfeld widderstoen, dorënner Belaaschtung vu fiichter Loft, Salzwaasser a verschidde Chemikalien.
Als Resultat vu senger héijer Energie Bandgap ass SiC héich resistent géint elektromagnetesch Stéierungen an déi destruktiv Effekter vun der Stralung. SiC ass och méi resistent géint Schued bei méi héije Kraaftniveauen wéi Si.
thermesch Schock Resistenz
SiC Resistenz géint thermesch Schock ass eng aner wichteg Charakteristik. Wann en Objet un engem extremen Temperaturgradient ausgesat ass, entsteet e thermesche Schock (dh wann verschidden Sektiounen vun engem Objet bei wesentlech ënnerschiddlechen Temperaturen sinn). Als Resultat vun dësem Temperaturgradient wäert den Taux vun Expansioun oder Kontraktioun tëscht de verschiddene Rubriken variéieren. Thermalschock kann Frakturen a bréchege Materialien verursaachen, awer SiC ass héich resistent géint dës Effekter. D'thermesch Schockbeständegkeet vu SiC ass e Resultat vu senger héijer thermescher Konduktivitéit (350 W / m / K fir een eenzegen Kristall) a gerénger thermescher Expansioun am Verglach zu der grousser Majoritéit vun Hallefleitmaterialien.
SiC Elektronik (zB MOSFETs a Schottky Dioden) ginn an Uwendungen mat aggressiven Ëmfeld benotzt, wéi HEVs an EVs, wéinst hirer Haltbarkeet. Et ass en exzellent Material fir an Hallefleitapplikatiounen ze benotzen, déi Zähegkeet an Zouverlässegkeet erfuerderen wéinst senger kierperlecher, chemescher an elektrescher Widderstandsfäegkeet.
