Hege temperatuer fjoerwurk keramyk materiaal 3YSZ, of wat wy kinne neame tetragonal zirconia polycrystal (TZP), wurdt makke fan zirconium okside dat is stabilisearre mei 3% mol yttrium okside.

In net-metallyske ferbining besteande út silisium en stikstof, silisiumnitride (Si3N4) is ek in avansearre keramysk materiaal mei de meast oanpasbere miks fan meganyske, thermyske en elektryske eigenskippen. Derneist, yn ferliking mei de measte oare keramyk, is it in hege prestaasjes keramyk mei in lege termyske útwreidingskoëffisjint dy't poerbêste termyske skokbestriding biedt.

Pyrolytyske BN of PBN is koart foar pyrolytyske boronitride. It is in soarte fan hexagonal borium nitride makke troch de gemyske damp deposition (CVD) metoade, is ek in ekstreem suver borium nitride dat kin berikke mear as 99,99%, covering hast gjin porosity.

Silisiumkarbid (SiC) is in keramysk materiaal dat faak wurdt groeid as ien kristal foar semiconductor-applikaasjes. Troch syn ynherinte materiaaleigenskippen en ienkristalgroei is it ien fan 'e duorsumste semiconductormaterialen op' e merke. Dizze duorsumens wreidet fier bûten syn elektryske funksjonaliteit út.

Boron Nitride (BN) keramyk is ien fan 'e meast effektive keramyk fan technyske kwaliteit. Se kombinearje útsûnderlike temperatuerbestindige eigenskippen, lykas hege termyske konduktiviteiten, mei hege dielektrike sterkte en útsûnderlike gemyske inertness om problemen op te lossen yn guon fan 'e meast easkenste tapassingsgebieten fan' e wrâld.

Substraten makke fan tinne-film keramyk wurde ek oantsjutten as semiconductor materialen. It is opboud út in oantal tinne lagen dy't binne opboud mei help fan fakuüm coating, deposition, of sputtering metoaden. Glêzen platen mei in dikte fan minder as ien millimeter dy't twadiminsjonaal (plat) of trijediminsjonaal is, wurde beskôge as tinnefilmkeramyske substraten. Se kinne wurde produsearre út in v

Wylst Si3N4 kombinearret poerbêst termyske conductivity en meganyske prestaasjes. De termyske konduktiviteit kin wurde oantsjutte op 90 W / mK, en syn breuktaaiheid is de heechste ûnder de fergelike keramyk. Dizze skaaimerken suggerearje dat Si3N4 de heechste betrouberens sil eksposearje as in metalisearre substraat.

Boron nitride keramyk hawwe opmerklike sterkte en termyske prestaasjes dy't opmerklik stabyl, wêrtroch't se in ideale kar foar it meitsjen fan de sproeiers dy't brûkt wurde yn de atomization fan raand metaal.

Boron Carbide (B4C) is in duorsum keramyk gearstald út Boron en koalstof. Boron Carbide is ien fan 'e hurdste stoffen bekend, ranglist tredde efter kubike Boron nitride en diamant. It is in kovalent materiaal dat brûkt wurdt yn in ferskaat oan krúsjale tapassingen, ynklusyf tankpânser, kûgelfrije vesten en motorsabotaazjepoeders. Yn feite is it it foarkommende materiaal foar in ferskaat oan yndustriële tapassingen

Hege termyske konduktiviteit en lege koëffisjint fan termyske útwreiding. Dizze kombinaasje fan eigenskippen soarget foar útsûnderlike termyske skokbestriding, wêrtroch Silicon Carbide keramyk nuttich is yn in breed skala oan yndustry. It is ek in semiconductor en syn elektryske eigenskippen meitsje it geskikt foar in breed skala oan tapassingen. It is ek bekend om syn ekstreme hurdens en korrosjebestriding.