Description du produit
Le nitrure d'aluminium, formule AlN, est un matériau plus récent dans la famille des céramiques techniques. Bien que sa découverte ait eu lieu il y a plus de 100 ans, elle a été développée en un produit commercialement viable avec des propriétés contrôlées et reproductibles au cours des 20 dernières années.
Le nitrure d'aluminium a une structure cristalline hexagonale et est un matériau à liaison covalente. L'utilisation d'auxiliaires de frittage et de pressage à chaud est nécessaire pour produire un matériau dense de qualité technique. Le matériau est stable à des températures très élevées dans des atmosphères inertes. Dans l'air, l'oxydation de surface commence au-dessus de 700°C. Une couche d'oxyde d'aluminium se forme qui protège le matériau jusqu'à 1370°C. Au-dessus de cette température, une oxydation massive se produit. Le nitrure d'aluminium est stable dans les atmosphères d'hydrogène et de dioxyde de carbone jusqu'à 980°C.
Le matériau se dissout lentement dans les acides minéraux par attaque aux limites des grains et dans les alcalis forts par attaque des grains de nitrure d'aluminium. Le matériau s'hydrolyse lentement dans l'eau. La plupart des applications actuelles se trouvent dans le domaine de l'électronique où l'évacuation de la chaleur est importante. Ce matériau présente un intérêt en tant qu'alternative non toxique au béryllia. Des méthodes de métallisation sont disponibles pour permettre à l'AlN d'être utilisé à la place de l'alumine et du BeO pour de nombreuses applications électroniques
Propriétés physiques
✔ Bonnes propriétés diélectriques
✔ Haute conductivité thermique
✔ Faible coefficient de dilatation thermique, proche de celui du Silicium
✔ Non réactif avec les produits chimiques et les gaz de traitement des semi-conducteurs normaux
Applications
✔ Dissipateurs de chaleur et dissipateurs de chaleur
✔ Isolateurs électriques pour lasers
✔ Mandrins, bagues de serrage pour équipement de traitement des semi-conducteurs
✔ Isolateurs électriques
✔ Manipulation et traitement des tranches de silicium
✔ Substrats et isolants pour dispositifs microélectroniques et dispositifs optoélectroniques
✔ Substrats pour colis électroniques
✔ Porte-puces pour capteurs et détecteurs
✔ Chiplets
✔ Pinces
✔ Composants de gestion de la chaleur laser
✔ Fixations en métal fondu
✔ Forfaits pour appareils à micro-ondes
Propriétés matérielles
Mécanique | Unités de mesure | SI/Métrique | (Impérial) |
Densité | g/cc (lb/ft3) | 3.26 | -203.5 |
Porosité | % (%) | 0 | 0 |
Couleur | — | grise | — |
Résistance à la flexion | MPa (lb/po2x103) | 320 | -46.4 |
Module d'élasticité | GPa (lb/po2x106) | 330 | -47.8 |
Module de cisaillement | GPa (lb/po2x106) | — | — |
Module de masse | GPa (lb/po2x106) | — | — |
Coefficient de Poisson | — | 0.24 | -0.24 |
Résistance à la compression | MPa (lb/po2x103) | 2100 | -304.5 |
Dureté | Kg/mm2 | 1100 | — |
Résistance à la rupture KIC | MPa•m1/2 | 2.6 | — |
Température d'utilisation maximale | °C (°F) | — | — |
(pas de charge) |
Thermique |
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Conductivité thermique | W/m•°K (BTU•po/pi2•h•°F) | 140–180 | (970–1250) |
Coefficient de dilatation thermique | 10–6/°C (10–6/°F) | 4.5 | -2.5 |
Chaleur spécifique | J/Kg•°K (Btu/lb•°F) | 740 | -0.18 |
Électrique |
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Résistance diélectrique | ca-kv/mm (volts/mil) | 17 | -425 |
Constante diélectrique | @ 1MHz | 9 | -9 |
Facteur de dissipation | @ 1MHz | 0.0003 | -0.0003 |
Tangente de perte | @ 1MHz | — | — |
Résistivité volumique | ohm•cm | >1014 | — |
Emballage et expédition
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