På grund af den ideelle termiske ledningsevne af berylliumoxidkeramik er det befordrende for at forbedre levetiden og kvaliteten af ​​enheder, lette udviklingen af ​​enheder til miniaturisering og øge enhedernes kraft, derfor kan det bruges i vid udstrækning i rumfart, atomkraft , metallurgisk teknik, elektronisk industri, raketfremstilling mv.

Aluminiumnitridkeramik har fremragende overordnet ydeevne, er ideelle til halvledersubstrater og strukturelle emballagematerialer og har et betydeligt anvendelsespotentiale i elektronikindustrien.

Si3N4 er anerkendt som det bedste keramiske substratmateriale med høj varmeledningsevne og høj pålidelighed i ind- og udland. Selvom den termiske ledningsevne af Si3N4 keramisk substrat er lidt lavere end for AlN, kan dets bøjningsstyrke og brudsejhed nå mere end det dobbelte af AlN. I mellemtiden er den termiske ledningsevne af Si3N4 keramik meget højere end for Al2O3 c

Siden det 21. århundrede har skudsikker keramik udviklet sig hurtigt med flere typer, herunder aluminiumoxid, siliciumcarbid, borcarbid, siliciumnitrid, titanborid osv. Heriblandt aluminiumoxidkeramik (Al2O3), siliciumcarbidkeramik (SiC) og borkarbidkeramik (B4C) er de mest udbredte.