Ang taas nga temperatura nga refractory ceramic nga materyal nga 3YSZ, o kung unsa ang atong matawag nga tetragonal zirconia polycrystal (TZP), gihimo sa zirconium oxide nga gipalig-on sa 3% mol yttrium oxide.

Usa ka non-metallic compound nga gilangkuban sa silicon ug nitrogen, silicon nitride (Si3N4) usa usab ka advanced ceramic nga materyal nga adunay labing mapaangay nga pagsagol sa mekanikal, thermal, ug elektrikal nga mga kabtangan. Dugang pa, kon itandi sa kadaghanan sa ubang mga seramiko, kini usa ka high-performance nga seramik nga adunay ubos nga thermal expansion coefficient nga nagtanyag og maayo nga thermal shock resistance.

Ang Pyrolytic BN o PBN mubo alang sa pyrolytic boron nitride. Kini usa ka matang sa hexagonal boron nitride nga gimugna pinaagi sa chemical vapor deposition (CVD) nga pamaagi, usa usab ka lunsay nga boron nitride nga moabot ug labaw sa 99.99%, nga halos walay porosity.

Ang Silicon carbide (SiC) usa ka seramik nga materyal nga kanunay nga gipatubo ingon usa ka kristal alang sa mga aplikasyon sa semiconductor. Tungod sa iyang kinaiyanhon nga materyal nga mga kabtangan ug usa ka kristal nga pagtubo, kini usa sa labing lig-on nga mga materyales sa semiconductor sa merkado. Kini nga kalig-on milabaw pa sa iyang electrical functionality.

Ang Boron Nitride (BN) nga mga seramik usa sa labing epektibo nga mga seramik nga grado sa teknikal. Gikombinar nila ang talagsaon nga mga kabtangan nga dili makasugakod sa temperatura, sama sa taas nga mga thermal conductivity, nga adunay taas nga dielectric nga kusog ug talagsaon nga kemikal nga pagkawalay mahimo aron masulbad ang mga problema sa pipila sa labing gipangayo nga mga lugar sa aplikasyon sa kalibutan.

Ang mga substrate nga hinimo sa manipis nga pelikula nga seramik gitawag usab nga mga materyales nga semiconductor. Kini gilangkoban sa daghang nipis nga mga lut-od nga gihimo gamit ang vacuum coating, deposition, o sputtering nga mga pamaagi. Ang mga panid sa salamin nga adunay gibag-on nga dili moubos sa usa ka milimetro nga duha-ka-dimensional (flat) o tulo-ka-dimensional giisip nga thin-film nga seramiko nga mga substrate. Mahimo sila nga gihimo gikan sa usa ka v

Samtang ang Si3N4 naghiusa sa maayo kaayo nga thermal conductivity ug mechanical performance. Ang thermal conductivity mahimong espesipiko sa 90 W/mK, ug ang kalig-on sa pagkabali niini mao ang pinakataas taliwala sa gitandi nga mga seramik. Kini nga mga kinaiya nagsugyot nga ang Si3N4 magpakita sa labing taas nga kasaligan ingon usa ka metalized substrate.

Ang boron nitride ceramics adunay talagsaong kalig-on ug thermal performance nga talagsaon nga lig-on, nga naghimo kanila nga usa ka sulundon nga pagpili alang sa paghimo sa mga nozzles nga gigamit sa atomization sa tinunaw nga metal.

Ang Boron Carbide (B4C) usa ka durable nga seramik nga gilangkoban sa Boron ug carbon. Ang Boron Carbide usa sa pinakagahi nga substansiya nga nahibal-an, ikatulo nga ranggo sa luyo sa cubic Boron nitride ug diamante. Kini usa ka covalent nga materyal nga gigamit sa lainlaing mga hinungdanon nga aplikasyon, lakip ang tanke nga armor, bulletproof vests, ug makina sabotage powder. Sa tinuud, kini ang gipalabi nga materyal alang sa lainlaing mga aplikasyon sa industriya

Taas nga thermal conductivity ug ubos nga coefficient sa thermal expansion. Kini nga kombinasyon sa mga kabtangan naghatag og talagsaon nga thermal shock resistance, nga naghimo sa Silicon Carbide ceramics nga mapuslanon sa usa ka halapad nga industriya. Kini usa usab ka semiconductor ug ang mga elektrikal nga kabtangan niini naghimo niini nga angay alang sa usa ka halapad nga aplikasyon. Nailhan usab kini tungod sa grabe nga katig-a ug resistensya sa corrosion.