Silikon karbid (SiC) yarimo'tkazgichli ilovalar uchun tez-tez bitta kristal sifatida o'stiriladigan keramik materialdir. O'ziga xos material xususiyatlari va bir kristalli o'sishi tufayli u bozordagi eng bardoshli yarimo'tkazgichli materiallardan biridir. Bu chidamlilik uning elektr funksionalligidan ancha kengaydi.
Jismoniy chidamlilik
SiC ning jismoniy chidamliligi uning elektron bo'lmagan ilovalarini o'rganish orqali eng yaxshi tasvirlangan: silliqlash qog'ozi, ekstruziya qoliplari, o'q o'tkazmaydigan jilet plitalari, yuqori unumdor tormoz disklari va o't o'chiruvchilar. SiC ob'ektni o'zi tirnalganidan farqli ravishda tirnaydi. Yuqori samarali tormoz disklarida foydalanilganda, ularning og'ir muhitda uzoq muddatli aşınmaya chidamliligi sinovdan o'tkaziladi. O'q o'tkazmaydigan yelek plitasi sifatida foydalanish uchun SiC yuqori jismoniy va zarba kuchiga ega bo'lishi kerak.
Kimyoviy va elektr chidamliligi
SiC kimyoviy inertligi bilan mashhur; hatto 800 °C gacha bo'lgan haroratga ta'sir qilganda ham ishqorlar va erigan tuzlar kabi eng agressiv kimyoviy moddalardan ham ta'sirlanmaydi. Kimyoviy hujumga chidamliligi tufayli SiC korroziy emas va qattiq muhitga, jumladan nam havo, sho'r suv va turli xil kimyoviy moddalar ta'siriga chiday oladi.
Yuqori energiya diapazoni natijasida SiC elektromagnit buzilishlarga va nurlanishning halokatli ta'siriga juda chidamli. SiC, shuningdek, Si ga qaraganda yuqori quvvat darajasidagi shikastlanishga nisbatan ancha chidamli.
Termal zarba qarshiligi
SiC ning termal zarbaga chidamliligi yana bir muhim xususiyatdir. Ob'ektga haddan tashqari harorat gradienti ta'sir qilganda, termal zarba paydo bo'ladi (ya'ni, ob'ektning turli bo'limlari sezilarli darajada farq qiladigan haroratlarda bo'lganda). Ushbu harorat gradienti natijasida kengayish yoki qisqarish tezligi turli bo'limlar o'rtasida farq qiladi. Termal zarba mo'rt materiallarda yoriqlarga olib kelishi mumkin, ammo SiC bu ta'sirlarga juda chidamli. SiC ning issiqlik zarbasiga chidamliligi uning yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi (bir kristal uchun 350 Vt / m / K) va yarimo'tkazgich materiallarining katta qismiga nisbatan past issiqlik kengayishining natijasidir.
SiC elektronikasi (masalan, MOSFET va Schottky diodlari) chidamliligi tufayli HEV va EV kabi agressiv muhitga ega bo'lgan ilovalarda qo'llaniladi. Bu jismoniy, kimyoviy va elektr chidamliligi tufayli mustahkamlik va ishonchlilikni talab qiladigan yarimo'tkazgichli ilovalarda foydalanish uchun ajoyib materialdir.
