(SIC використовується в напівпровіднику, виробленому Вінтрустек)
Карбід кремніюАБОSIC, є напівпровідниковим базовим матеріалом, виготовленим повністю з кремнію та вуглецю. SIC може бути допедований фосфором або азотом для створення напівпровідника N-типу, або з берилієм, бором, алюмінієм або галлієм для створення напівпровідника типу P.
Переваги
Висока максимальна щільність струму
120–270 Вт/мк високої теплопровідності
Низький коефіцієнт теплового розширення 4,0х10^-6/° C
Карбід кремніюмає виняткову електропровідність завдяки цим трьом властивостям, особливо якщо вони протиставляються більш відомим відносним, кремнієм. Завдяки своїм унікальним властивостям, SICє дуже бажаним матеріалом для високих потужностей, що вимагають високої температури, високого струму та високої теплопровідності.
SICстала головною силою в напівпровідниковому бізнесі, що постачає електроенергію модулям, шуткі та MOSFET для використання у високоефективних, потужних додатках. SIC дозволяє досягти порогів напруги понад 10 кВ, хоча він дорожчий, ніж кремній Mosfets, які, як правило, обмежуються напругами розбиття на 900 В.
Крім того,SICМоже обробляти високі робочі частоти і має дуже низькі втрати комутації, що дозволяє йому досягти ефективності, яка наразі не має собі рівних, особливо у програмах, які працюють на напругах вище 600 вольт. Пристрої SIC можуть скоротити розмір на 300%, загальна вартість системи на 20%, а втрата перетворювача та інвертора на понад 50%при правильному використанні. Через це загальне зменшення розміру системи SIC може бути дуже корисним у застосуванні, де вага та простір є критичними.
Застосування
Сонячна промисловість
Ефективність та зниження витрат також суттєво впливають на модифікацію інвертора з підтримкою SIC. Коли карбід кремнію використовується в сонячних інверторах, частота перемикання системи збільшується на два -три рази порівняно зі стандартом кремнію. Це збільшення частоти комутації дозволяє зменшити магніту в ланцюзі, що економить значну кількість місця та грошей. Отже, конструкції інвертора на основі карбіду кремнію можуть бути майже наполовину великими та важкими, ніж ті, що базуються на кремнію. Сильна витривалість та надійність SIC над іншими матеріалами, такими як нітрид галію, є ще однією причиною, яка підштовхує сонячних експертів та виробників до його використання. Оскільки карбід кремнію є надійним, сонячні системи можуть досягати тривалого життя, необхідного для постійно роботи протягом більше десяти років.
Використання EV
Промисловість зарядних систем EV та EV є однією з найбільших сфер для напівпровідників SIC. З точки зору транспортного засобу, SIC - це чудовий варіант для моторних приводів, який включає електричні поїзди, а також EVS, які проїжджають наші дороги.
SICє чудовим варіантом для систем електроенергії рухового приводу завдяки її надійності та продуктивності. Більше того, використання SIC може зменшити розмір та вагу системи, які є важливими факторами ефективності EV, завдяки його високому співвідношенню продуктивності та розміру та тому, що системи на основі SIC часто потребують використання меншої кількості загальних компонентів.
Застосування SIC в системах зарядки акумуляторів EV також розширюється. Тривалість часу, необхідного для поповнення батарей, є однією з головних перешкод для прийняття EV. Виробники шукають методи скорочення цього разу, і SIC часто є рішенням. Використання компонентів SIC Power у позашляхових рішеннях зарядки дозволяє виробникам зарядних станцій EV оптимізувати продуктивність зарядки, скориставшись можливостями високої потужності SIC та швидкою швидкістю комутації.
Безперебійні джерела живлення та центри обробки даних
Роль Центру обробки даних стає все більш важливою для компаній усіх розмірів та галузейКоли вони зазнають цифрової трансформації.
SICМогла діяти холодніше без шкоди для продуктивності та мав більш високу теплову ефективність. Крім того, центри обробки даних, що використовують компоненти SIC, можуть розмістити більше обладнання в меншому сліді через підвищену щільність потужності.
Безперебійні джерела живлення (ДБЖ), які допомагають гарантувати системам залишатися функціонуючими навіть у разі відключення електроенергії, є додатковою особливістю цих центрів обробки даних. Через її надійність, ефективність та здатність забезпечити чисту потужність з мінімальними втратами, SIC знайшов місце в системах UPS. Будуть втрати, коли UPS перетворює потужність постійного струму в потужність змінного струму; Ці втрати скорочують кількість часу, коли UPS може забезпечити резервну потужність. SIC сприяє зниженню цих втрат та підвищенню потужностей UPS. Коли простір обмежений, системи UPS, які мають більш високу щільність потужності, також можуть працювати краще, не займаючи більше місця, що важливо.
На закінчення,SICбуде важливим компонентом напівпровідникового дизайну протягом багатьох років, коли додатки розширюються.
