Ang high-temperature refractory ceramic material na 3YSZ, o tinatawag nating tetragonal zirconia polycrystal (TZP), ay gawa sa zirconium oxide na na-stabilize na may 3% mol yttrium oxide.

Ang isang non-metallic compound na binubuo ng silicon at nitrogen, ang silicon nitride (Si3N4) ay isa ring advanced na ceramic na materyal na may pinakamadaling ibagay na halo ng mekanikal, thermal, at electrical properties. Bukod pa rito, kumpara sa karamihan ng iba pang mga ceramics, ito ay isang high-performance na ceramic na may mababang thermal expansion coefficient na nag-aalok ng mahusay na thermal shock resistance.

Ang Pyrolytic BN o PBN ay maikli para sa pyrolytic boron nitride. Ito ay isang uri ng hexagonal boron nitride na nilikha ng chemical vapor deposition (CVD) method, ay isa ring napakadalisay na boron nitride na maaaring umabot ng higit sa 99.99%, na sumasaklaw sa halos walang porosity.

Ang Silicon carbide (SiC) ay isang ceramic na materyal na madalas na itinatanim bilang isang kristal para sa mga aplikasyon ng semiconductor. Dahil sa likas na katangian ng materyal at paglaki ng single-crystal, isa ito sa pinakamatibay na materyales sa semiconductor sa merkado. Ang tibay na ito ay umaabot nang higit pa sa electrical functionality nito.

Ang Boron Nitride (BN) ceramics ay kabilang sa mga pinaka-epektibong teknikal na grade ceramics. Pinagsasama nila ang mga pambihirang katangian na lumalaban sa temperatura, tulad ng mataas na thermal conductivity, na may mataas na dielectric na lakas at pambihirang chemical inertness upang malutas ang mga problema sa ilan sa mga pinaka-hinihingi na lugar ng aplikasyon sa mundo.

Ang mga substrate na gawa sa thin-film ceramic ay tinutukoy din bilang mga semiconductor na materyales. Binubuo ito ng ilang manipis na layer na na-build up gamit ang vacuum coating, deposition, o sputtering method. Ang mga glass sheet na may kapal na mas mababa sa isang milimetro na two-dimensional (flat) o three-dimensional ay itinuturing na thin-film ceramic substrates. Maaari silang gawin mula sa isang v

Habang pinagsasama ng Si3N4 ang mahusay na thermal conductivity at mekanikal na pagganap. Ang thermal conductivity ay maaaring tukuyin sa 90 W/mK, at ang fracture toughness nito ang pinakamataas sa mga inihambing na ceramics. Iminumungkahi ng mga katangiang ito na ang Si3N4 ay magpapakita ng pinakamataas na pagiging maaasahan bilang isang metalized na substrate.

Ang boron nitride ceramics ay may kahanga-hangang lakas at thermal performance na kapansin-pansing stable, na ginagawa itong isang mainam na pagpipilian para sa paggawa ng mga nozzle na ginagamit sa atomization ng tinunaw na metal.

Ang Boron Carbide (B4C) ay isang matibay na ceramic na binubuo ng Boron at carbon. Ang Boron Carbide ay isa sa pinakamahirap na substance na kilala, pumangatlo sa likod ng cubic Boron nitride at brilyante. Ito ay isang covalent material na ginagamit sa iba't ibang mahahalagang aplikasyon, kabilang ang armor ng tangke, bulletproof vests, at engine sabotage powder. Sa katunayan, ito ang ginustong materyal para sa iba't ibang mga pang-industriyang aplikasyon

Mataas na thermal conductivity at mababang koepisyent ng thermal expansion. Ang kumbinasyon ng mga katangian ay nagbibigay ng pambihirang thermal shock resistance, na ginagawang kapaki-pakinabang ang Silicon Carbide ceramics sa isang malawak na hanay ng mga industriya. Ito rin ay isang semiconductor at ang mga katangiang elektrikal nito ay ginagawa itong angkop para sa isang malawak na hanay ng mga aplikasyon. Kilala rin ito sa matinding tigas at paglaban sa kaagnasan.