Silikon karbid (SiC) ýarymgeçiriji goşundylar üçin ýygy-ýygydan ýekeje kristal hökmünde ösdürilip ýetişdirilýän keramiki materialdyr. Özüne mahsus material aýratynlyklary we bir kristal ösüşi sebäpli bazardaky iň çydamly ýarymgeçiriji materiallardan biridir. Bu çydamlylyk, elektrik işleýşinden has uzakda.
Fiziki çydamlylyk
SiC-iň fiziki berkligi, elektron däl programmalaryny barlamak arkaly has gowy görkezilýär: çäge kagyzy, ekstruziýa ölýär, ok geçirmeýän ýelek plitalary, ýokary öndürijilikli tormoz diskleri we ýangyn söndürijiler. SiC özüni çyzmakdan tapawutlylykda bir zady çyzar. Performanceokary öndürijilikli tormoz disklerinde ulanylanda, olaryň agyr şertlerde uzak möhletli könelmegine garşylygy synagdan geçirilýär. Ok geçirmeýän ýelek plastinka hökmünde ulanmak üçin SiC ýokary fiziki we täsir güýjüne eýe bolmalydyr.
Himiki we elektrik çydamlylygy
SiC himiki inertligi bilen meşhurdyr; hatda aşgarlar we eredilen duzlar ýaly iň agressiw himiki maddalar, hatda 800 ° C-den ýokary temperatura sezewar bolanda-da täsir etmeýär. Himiki hüjüme garşylygy sebäpli SiC poslamaýan we çygly howanyň, duzly suwuň we dürli himiki maddalaryň täsiri ýaly agyr şertlere çydap bilýär.
SiC ýokary energiýa zolagy netijesinde elektromagnit bozulmalara we radiasiýanyň weýran ediji täsirlerine ýokary çydamlydyr. SiC, Si-den has ýokary güýç derejesinde zeperlere has çydamlydyr.
Malylylyk zarbasyna garşylyk
SiC-iň termiki zarba garşylygy başga bir möhüm aýratynlykdyr. Haçan-da bir jisim aşa temperatura gradiýentine duçar bolanda, termiki zarba ýüze çykýar (ýagny, obýektiň dürli bölümleri ep-esli temperaturada bolanda). Bu temperatura gradiýentiniň netijesinde giňeliş ýa-da gysylma tizligi dürli bölümleriň arasynda üýtgeýär. Malylylyk zarbasy döwük materiallaryň döwülmegine sebäp bolup biler, ýöne SiC bu täsirlere ýokary çydamlydyr. SiC-iň ýylylyk zarbasyna garşylygy, ýokary ýylylyk geçirijiliginiň (bir kristal üçin 350 W / m / K) we ýarymgeçiriji materiallaryň aglaba köplügi bilen deňeşdirilende pes ýylylyk giňelmeginiň netijesidir.
SiC elektronikasy (meselem, MOSFET we Şottki diodlary) çydamlylygy sebäpli HEV we EV ýaly agressiw gurşawly programmalarda ulanylýar. Fiziki, himiki we elektrik çydamlylygy sebäpli berkligi we ygtybarlylygy talap edýän ýarymgeçiriji programmalarda ulanmak üçin ajaýyp materialdyr.
