Aluminum Nitride (AlN) na muamua faʻapipiʻiina i le 1877, ae o lona faʻaogaina i microelectronics e leʻi faʻaosofia ai le atinaʻeina o mea sili ona lelei, faʻatau pisinisi seia oʻo i le ogatotonu o 1980s.
O le AIN o le alumini nitrate fomu. O le nitride alumini e ese mai le alumini nitrate ona o se mea faʻapipiʻi nitrogen ma se tulaga faʻamaʻi faʻamaʻi o le -3, ae o le nitrate e faasino i soʻo se ester poʻo le masima o le nitric acid. Ole fausaga tioata ole meamea ole wurtzite hexagonal.
Fa'asologa o le AIN
AlN e gaosia e ala i le fa'aitiitiga o le alumina po'o le fa'asa'o sa'o ole alumini. E iai le mamafa o le 3.33 g/cm3 ma, e ui lava e leʻi liusuavai, e vavae ese i le vevela i luga ole 2500 °C ma le mamafa o le ea. A aunoa ma le fesoasoani a mea fa'apipi'i fa'asuavaia, o mea e fa'apipi'i fa'atasi ma fa'asa'o i le sintering. E masani lava, oxides pei ole Y2O3 po'o le CaO fa'atagaina le sintering i le vevela i le va o le 1600 ma le 1900 tikeri Celsius.
O vaega e faia i le nitride alumini e mafai ona gaosia e ala i ni auala eseese, e aofia ai le malulu isostatic oomiina, faʻamago tui tui, faʻapipiʻi faʻamalosi maualalo, faʻapipiʻi lipine, masini saʻo, ma le faʻagogo.
Vaega Autu
AlN e le mafai ona pa'u i le tele o metala liusuavai, e aofia ai le alumini, lithium, ma le kopa. E le mafai ona faʻafefe i le tele o masima liusuavai, e aofia ai chlorides ma cryolite.
Alumini nitride o loʻo i ai le maualuga o le vevela (170 W / mk, 200 W / mk, ma le 230 W / mk) faʻapea foʻi ma le maualuga o le voluma tetee ma le malosi dielectric.
E faigofie ile hydrolysis ile pa'u pa'u pe a fa'aalia ile vai po'o le susu. E le gata i lea, o acids ma alkalis e osofaia le nitride alumini.
Ole mea lea ole insulator mo le eletise. O le fa'aupuina e fa'aleleia ai le fa'auluina o le eletise o se mea. AIN fa'aalia mea piezoelectric.
Talosaga
Microelectronics
O le uiga sili ona mata'ina o le AlN o lona fa'auluina o le vevela, e lona lua na'o le beryllium i mea tau sima. I le vevela i lalo ifo o le 200 tikeri Celsius, o lona faʻavevela vevela e sili atu nai lo le kopa. O lenei tu'ufa'atasiga o le maualuga o le conductivity, voluma tete'e, ma le dielectric malosi e mafai ai ona fa'aogaina e fai ma substrate ma afifiina mo fa'apotopotoga vaega microelectronic maualuga-maualuga po'o le maualuga-density. O le manaʻoga e faʻamalo le vevela e mafua mai i le gau o le ohmic ma tausia vaega i totonu o latou faʻaogaina o le vevela o se tasi lea o mea faʻatapulaʻa e fuafua ai le tele o le teuina o mea eletise. AlN substrates e maua ai le malulu sili atu nai lo le masani ma isi mea'ai sima, o le mea lea e faʻaaogaina ai e avea ma mea e ave ai atigipusa ma faʻafefe vevela.
Aluminum nitride maua le faʻasalalauga faʻapisinisi lautele i RF filiga mo masini fesoʻotaʻiga feaveaʻi. O se vaega o le alumini nitride o loʻo tu i le va o laupepa e lua o uʻamea. O fa'aoga masani i le vaega fa'apisinisi e aofia ai le fa'aogaina o le eletise ma le fa'aogaina o le vevela vaega i le lasers, chiplets, collets, insulators eletise, fa'amau fa'amau i mea e gaosia ai le semiconductor, ma le afifiina o masini microwave.
Isi Talosaga
Ona o le tau o AlN, o ana talosaga na faʻatapulaʻaina i tala faasolopito i le ea a le militeri ma felauaiga. Ae ui i lea, o mea ua maeʻa suʻesuʻeina ma faʻaaogaina i vaega eseese. O ona uiga lelei e mafai ai ona talafeagai mo le tele o fa'aoga tau pisinisi.
O fa'aoga fa'apisinisi a le AlN e aofia ai mea fa'apipi'i fa'amalosi mo le fa'afoeina o u'amea fa'afefete ma faiga fa'aliliu vevela lelei.
O lenei mea o loʻo faʻaaogaina e fau ai faʻamau mo le tuputupu aʻe o tioata gallium arsenide ma faʻaaogaina foi i le gaosiga o uʻamea ma semiconductor.
O isi fa'aoga fuafuaina mo le alumini nitride e aofia ai le fa'aogaina o vaila'au mo kasa oona. O le fa'aogaina o le nanotubes AIN e gaosia ai nanotubes quasi-tasi-dimensional mo le fa'aogaina i nei masini sa avea ma autu o su'esu'ega. I le luasefulu tausaga ua tuanaʻi, sa suʻesuʻeina foʻi diodes faʻamalama o loʻo faʻaogaina i alaleo ultraviolet. O le fa'aogaina o ata manifinifi AIN i luga o masini fa'alogo acoustic ua mae'a su'esu'eina.