3YSZ, poʻo le mea e mafai ona tatou taʻua o le tetragonal zirconia polycrystal (TZP), e faia i le zirconium oxide lea ua faʻamautuina i le 3% mol yttrium oxide.

O se mea e le o u'amea e aofia ai le silikoni ma le nitrogen, silicon nitride (Si3N4) o se mea fa'alumaina sima ma sili ona fetuutuunai fefiloi o masini, vevela, ma eletise. E le gata i lea, pe a fa'atusatusa i le tele o isi sima, o se sima maualuga-fa'atinoga ma se fa'alumaina fa'alauteleina o le vevela e ofoina atu ai le fa'alavelave fa'afuase'i lelei.

Pyrolytic BN poʻo PBN e puupuu mo pyrolytic boron nitride. O se ituaiga o boron nitride hexagonal na faia e le vailaʻau vaʻa (CVD) metotia, o se boron nitride sili ona mama e mafai ona oʻo atu i le 99.99%, e toetoe lava a leai se porosity.

Silicon carbide (SiC) o se mea sima e masani ona tupu e pei o se tioata tasi mo talosaga semiconductor. Ona o ana meafaitino faʻapitoa ma le tuputupu aʻe o le tioata tasi, o se tasi lea o mea sili ona umi semiconductor i luga o le maketi. O lenei umi e faʻalautele mamao atu i tua atu o lona faʻaogaina eletise.

Boron Nitride (BN) ceramics o se tasi o mea sili ona aoga faʻatekinisi-grade ceramics. Latou te tuʻufaʻatasia mea faʻapitoa e teteʻe i le vevela, e pei o le maualuga o le vevela, faʻatasi ai ma le malosi dielectric maualuga ma le faʻaogaina o vailaʻau faʻapitoa e foia ai faʻafitauli i nisi o vaega sili ona faigata o le faʻaogaina o le lalolagi.

O mea fa'apipi'i e fai i sima manifinifi ata e ta'ua fo'i o mea semiconductor. O lo'o faia i le tele o mea manifinifi na fa'apipi'iina i le fa'aogaina o le fa'apalapala vacuum, fa'aputu, po'o le fa'afefeteina. O ie tioata e itiiti ifo i le tasi milimita lona mafiafia e lua-dimensional (flat) po'o le tolu-dimensional ua manatu o ni mea manifinifi-film keramik substrate. E mafai ona gaosia mai se v

Aʻo tuʻufaʻatasia e Si3N4 le faʻaogaina o le vevela lelei ma le faʻaogaina o masini. E mafai ona faʻamaonia le faʻauluina o le vevela i le 90 W / mK, ma o lona gau gau e sili ona maualuga i le faʻatusatusaina o sima. O nei uiga o loʻo faʻaalia ai o le Si3N4 o le a faʻaalia le maualuga o le faʻatuatuaina o se mea faʻapipiʻi uʻamea.

Boron nitride ceramics o loʻo i ai le malosi faʻapitoa ma le faʻaogaina o le vevela e matuaʻi mautu, ma avea ai ma se filifiliga lelei mo le faia o pusi o loʻo faʻaaogaina i le atomization o uʻamea uʻamea.

Boron Carbide (B4C) o se sima umi e fausia i Boron ma carbon. O le Boron Carbide o se tasi o mea sili ona faigata ua iloa, tulaga tolu i tua o le kupita Boron nitride ma taimane. Ose mea e fa'aogaina e fa'aogaina i le tele o fa'aoga taua, e aofia ai le ofutau tane, ofutino pulufana, ma pa'u sabotage afi. O le mea moni, o le mea e sili ona fiafia i ai mo le tele o mea tau pisinisi

O le maualuga o le vevela ma le maualalo o le faʻalauteleina o le vevela. O lenei tu'ufa'atasiga o mea totino e maua ai le fa'alavelave fa'afuase'i fa'ate'ia, fa'aogaina ai le sili silikoni karbide ceramics i le tele o alamanuia. O se semiconductor foi ma ona mea eletise e talafeagai mo le tele o faʻaoga. E lauiloa foi ona o lona maaa tele ma le pala.