INVESTIGAÇÃO
  • Substrato Cerâmico AlN de Alta Condutividade Térmica
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Substrato Cerâmico AlN de Alta Condutividade Térmica

Substrato Cerâmico AlN de Alta Condutividade Térmica
  • Densidade: 3,31 g/cm3
  • Resistência à compressão: 2100 MPa
  • Dureza (Vickers): 11 GPa
  • DETALHES DO PRODUTO

Descrição do produto

 

O nitreto de alumínio, fórmula AlN, é um material mais novo na família de cerâmicas técnicas. Embora sua descoberta tenha ocorrido há mais de 100 anos, ele foi desenvolvido em um produto comercialmente viável com propriedades controladas e reprodutíveis nos últimos 20 anos.


O nitreto de alumínio tem uma estrutura cristalina hexagonal e é um material de ligação covalente. O uso de auxiliares de sinterização e prensagem a quente é necessário para produzir um material denso de grau técnico. O material é estável a temperaturas muito altas em atmosferas inertes. No ar, a oxidação da superfície começa acima de 700°C. Forma-se uma camada de óxido de alumínio que protege o material até 1370°C. Acima desta temperatura ocorre oxidação em massa. O nitreto de alumínio é estável em atmosferas de hidrogênio e dióxido de carbono até 980°C.


O material dissolve-se lentamente em ácidos minerais através do ataque ao contorno de grão e em álcalis fortes através do ataque aos grãos de nitreto de alumínio. O material hidrolisa lentamente em água. A maioria das aplicações atuais está na área de eletrônica onde a remoção de calor é importante. Este material é de interesse como uma alternativa não tóxica à berílio. Métodos de metalização estão disponíveis para permitir que AlN seja usado no lugar de alumina e BeO para muitas aplicações eletrônicas

 

 Propriedades físicas

 

 Boas propriedades dielétricas

 Alta condutividade térmica

 Baixo coeficiente de expansão térmica, próximo ao do Silício

 Não reativo com produtos químicos e gases de processo semicondutores normais

 

Formulários

 

 Dissipadores de calor e dissipadores de calor

 Isoladores elétricos para lasers

 Mandris, anéis de fixação para equipamentos de processamento de semicondutores

 Isoladores elétricos

 Manuseio e processamento de wafer de silício

 Substratos e isolantes para dispositivos microeletrônicos e dispositivos optoeletrônicos

 Substratos para pacotes eletrônicos

 Porta-chips para sensores e detectores

 Chiplets

 Pinças

 Componentes de gerenciamento de calor a laser

 Luminárias de metal fundido

 Pacotes para aparelhos de micro-ondas

Propriedades do Material


Mecânico

Unidades de medida

SI/Métrica

(Imperial)

Densidade

gm/cc (lb/pés3)

3.26

-203.5

Porosidade

% (%)

0

0

Cor

cinzento

Resistência à Flexão

MPa (lb/pol.2x103)

320

-46.4

Módulo elástico

GPa (lb/pol2x106)

330

-47.8

Módulo de cisalhamento

GPa (lb/pol2x106)

Módulo em massa

GPa (lb/pol2x106)

Razão de Poisson

0.24

-0.24

Força compressiva

MPa (lb/pol.2x103)

2100

-304.5

Dureza

Kg/mm2

1100

Resistência à Fratura KIC

MPa•m1/2

2.6

Temperatura máxima de uso

°C (°F)

(sem carga)

Térmico




Condutividade térmica

W/m•°K (BTU•pol./pés2•h•°F)

140–180

(970–1250)

Coeficiente de expansão térmica

10–6/°C (10–6/°F)

4.5

-2.5

Calor específico

J/Kg•°K (Btu/lb•°F)

740

-0.18

Elétrico




Rigidez dielétrica

ac-kv/mm (volts/mil)

17

-425

Constante dielétrica

@ 1MHz

9

-9

Fator de dissipação

@ 1MHz

0.0003

-0.0003

Tangente de Perda

@ 1MHz

Resistividade volumétrica

ohm•cm

>1014



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Embalagem e envio

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