O nitreto de alumínio, fórmula AlN, é um material mais novo na família de cerâmicas técnicas. Embora sua descoberta tenha ocorrido há mais de 100 anos, ele foi desenvolvido em um produto comercialmente viável com propriedades controladas e reprodutíveis nos últimos 20 anos.
O nitreto de alumínio tem uma estrutura cristalina hexagonal e é um material de ligação covalente. O uso de auxiliares de sinterização e prensagem a quente é necessário para produzir um material denso de grau técnico. O material é estável a temperaturas muito altas em atmosferas inertes. No ar, a oxidação da superfície começa acima de 700°C. Forma-se uma camada de óxido de alumínio que protege o material até 1370°C. Acima desta temperatura ocorre oxidação em massa. O nitreto de alumínio é estável em atmosferas de hidrogênio e dióxido de carbono até 980°C.
O material dissolve-se lentamente em ácidos minerais através do ataque ao contorno de grão e em álcalis fortes através do ataque aos grãos de nitreto de alumínio. O material hidrolisa lentamente em água. A maioria das aplicações atuais está na área de eletrônica onde a remoção de calor é importante. Este material é de interesse como uma alternativa não tóxica à berílio. Métodos de metalização estão disponíveis para permitir que AlN seja usado no lugar de alumina e BeO para muitas aplicações eletrônicas
✔ Boas propriedades dielétricas
✔ Alta condutividade térmica
✔ Baixo coeficiente de expansão térmica, próximo ao do Silício
✔ Não reativo com produtos químicos e gases de processo semicondutores normais
✔ Dissipadores de calor e dissipadores de calor
✔ Isoladores elétricos para lasers
✔ Mandris, anéis de fixação para equipamentos de processamento de semicondutores
✔ Isoladores elétricos
✔ Manuseio e processamento de wafer de silício
✔ Substratos e isolantes para dispositivos microeletrônicos e dispositivos optoeletrônicos
✔ Substratos para pacotes eletrônicos
✔ Porta-chips para sensores e detectores
✔ Chiplets
✔ Pinças
✔ Componentes de gerenciamento de calor a laser
✔ Luminárias de metal fundido
✔ Pacotes para aparelhos de micro-ondas
Mecânico | Unidades de medida | SI/Métrica | (Imperial) |
Densidade | gm/cc (lb/pés3) | 3.26 | -203.5 |
Porosidade | % (%) | 0 | 0 |
Cor | — | cinzento | — |
Resistência à Flexão | MPa (lb/pol.2x103) | 320 | -46.4 |
Módulo elástico | GPa (lb/pol2x106) | 330 | -47.8 |
Módulo de cisalhamento | GPa (lb/pol2x106) | — | — |
Módulo em massa | GPa (lb/pol2x106) | — | — |
Razão de Poisson | — | 0.24 | -0.24 |
Força compressiva | MPa (lb/pol.2x103) | 2100 | -304.5 |
Dureza | Kg/mm2 | 1100 | — |
Resistência à Fratura KIC | MPa•m1/2 | 2.6 | — |
Temperatura máxima de uso | °C (°F) | — | — |
(sem carga) | |||
Térmico | |||
Condutividade térmica | W/m•°K (BTU•pol./pés2•h•°F) | 140–180 | (970–1250) |
Coeficiente de expansão térmica | 10–6/°C (10–6/°F) | 4.5 | -2.5 |
Calor específico | J/Kg•°K (Btu/lb•°F) | 740 | -0.18 |
Elétrico | |||
Rigidez dielétrica | ac-kv/mm (volts/mil) | 17 | -425 |
Constante dielétrica | @ 1MHz | 9 | -9 |
Fator de dissipação | @ 1MHz | 0.0003 | -0.0003 |
Tangente de Perda | @ 1MHz | — | — |
Resistividade volumétrica | ohm•cm | >1014 | — |
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