စုံစမ်းမေးမြန်းခြင်း။
  • High Heat Conductive Aluminum Nitride Ceramic Plate
  • High Heat Conductive Aluminum Nitride Ceramic Plate
  • High Heat Conductive Aluminum Nitride Ceramic Plate
  • High Heat Conductive Aluminum Nitride Ceramic Plate

High Heat Conductive Aluminum Nitride Ceramic Plate

High Heat Conductive Aluminum Nitride Ceramic Plate
  • သိပ်သည်းဆ- 3.31 g/cm3
  • Compressive Strength: 2100 MPa
  • မာကျောမှု (Vickers): 11 GPa
  • ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

ကုန်ပစ္စည်းအကြောင်းအရာ

 

အလူမီနီယမ်နိုက်ထရိတ်၊ ဖော်မြူလာ AlN သည် နည်းပညာဆိုင်ရာ ကြွေထည်မိသားစုတွင် အသစ်သောပစ္စည်းဖြစ်သည်။ ၎င်း၏ရှာဖွေတွေ့ရှိမှုသည် လွန်ခဲ့သောနှစ်ပေါင်း 100 ကျော်က ဖြစ်ပွားခဲ့သော်လည်း ပြီးခဲ့သောနှစ် 20 အတွင်း ထိန်းချုပ်ပြီး မျိုးပွားနိုင်သော ဂုဏ်သတ္တိများဖြင့် စီးပွားဖြစ် အလားအလာရှိသော ထုတ်ကုန်အဖြစ် တီထွင်ခဲ့သည်။


အလူမီနီယမ်နိုက်ထရိတ်သည် ဆဋ္ဌဂံပုံသဏ္ဍန်ပုံစံရှိပြီး covalent ချည်နှောင်ထားသော ပစ္စည်းဖြစ်သည်။ သိပ်သည်းသော နည်းပညာအဆင့် ပစ္စည်းတစ်ခုထုတ်လုပ်ရန် sintering aids နှင့် hot pressing ကိုအသုံးပြုရန် လိုအပ်ပါသည်။ ပစ္စည်းသည် ပျော့ပျောင်းသောလေထုထဲတွင် အလွန်မြင့်မားသော အပူချိန်အထိ တည်ငြိမ်သည်။ လေထဲတွင်၊ မျက်နှာပြင် 700°C အထက်တွင် ဓာတ်တိုးမှု စတင်သည်။ ပစ္စည်းကို 1370°C အထိ ကာကွယ်ပေးသည့် အလူမီနီယမ်အောက်ဆိုဒ် အလွှာတစ်ခုဖြစ်သည်။ ဤအပူချိန်ထက် အစုလိုက် ဓာတ်တိုးခြင်း ဖြစ်ပေါ်သည်။ အလူမီနီယမ်နိုက်ထရိတ်သည် 980°C အထိ ဟိုက်ဒရိုဂျင်နှင့် ကာဗွန်ဒိုင်အောက်ဆိုဒ် လေထုထဲတွင် တည်ငြိမ်သည်။


ပစ္စည်းသည် စပါးနယ်နိမိတ်ကို တိုက်ခိုက်ခြင်းအားဖြင့် သတ္တုအက်ဆစ်များတွင် ဖြည်းညှင်းစွာ ပျော်ဝင်ကာ ပြင်းထန်သော အယ်လ်ကာလီများတွင် အလူမီနီယမ်နိုက်ထရိတ်အစေ့များကို တိုက်ခိုက်ခြင်းဖြင့် ဖြည်းညှင်းစွာ ပျော်ဝင်ပါသည်။ ပစ္စည်းသည် ရေတွင် ဖြည်းညှင်းစွာ ဟိုက်ဒရောလစ် ဖြစ်သွားသည်။ လက်ရှိအပလီကေးရှင်းအများစုသည် အပူဖယ်ရှားရန် အရေးကြီးသော အီလက်ထရွန်းနစ်ဧရိယာတွင် ရှိနေသည်။ ဤပစ္စည်းသည် beryllia အတွက် အဆိပ်မရှိသော အစားထိုးတစ်မျိုးအဖြစ် စိတ်ဝင်စားဖွယ်ကောင်းသည်။ အီလက်ထရွန်နစ်အပလီကေးရှင်းများစွာအတွက် AlN ကို အလူမီနာနှင့် BeO နေရာတွင် အသုံးပြုရန် သတ္တုဓာတ်ပြုလုပ်ခြင်းနည်းလမ်းများကို ရရှိနိုင်သည်။

 

 ရုပ်ဂုဏ်သတ္တိများ

 

 ကောင်းသော dielectric ဂုဏ်သတ္တိများ

 မြင့်မားသောအပူစီးကူး

 Silicon နှင့် နီးစပ်သော အပူချိန် ချဲ့ထွင်မှု ကိန်းဂဏန်း နည်းပါးသည်။

 ပုံမှန် semiconductor လုပ်ငန်းစဉ် ဓာတုပစ္စည်းများနှင့် ဓာတ်ငွေ့များဖြင့် ဓာတ်ပြုမှုမရှိပါ။

 

လျှောက်လွှာများ

 

 အပူစုပ်ခွက်များနှင့် အပူဖြန့်စက်များ

 လေဆာများအတွက်လျှပ်စစ် insulator တွင်လည်း

 တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း စီမံဆောင်ရွက်ပေးသည့် ကိရိယာအတွက် အချပ်များ၊ ကုပ်ကွင်းများ

 လျှပ်စစ်လျှပ်ကာများ

 ဆီလီကွန် wafer ကိုင်တွယ်ခြင်းနှင့် လုပ်ဆောင်ခြင်း။

 မိုက်ခရိုအီလက်ထရွန်းနစ်ကိရိယာများနှင့် opto အီလက်ထရွန်နစ်စက်ပစ္စည်းများအတွက် အလွှာများနှင့် အကာအရံများ

 အီလက်ထရွန်းနစ်ပက်ကေ့ဂျ်များအတွက် အလွှာများ

 အာရုံခံကိရိယာများနှင့် ထောက်လှမ်းကိရိယာများအတွက် ချစ်ပ်ဝန်ဆောင်မှုပေးသည်။

 Chiplets

 Collets

 လေဆာအပူစီမံခန့်ခွဲမှု အစိတ်အပိုင်းများ

 သွန်းသောသတ္တုပစ္စည်းများ

 မိုက်ခရိုဝေ့ဖ်စက်များအတွက် ပက်ကေ့ခ်ျများ

ပစ္စည်းဂုဏ်သတ္တိများ


စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ

တိုင်းတာမှုယူနစ်များ

SI/Metric

(အင်ပါယာ)

သိပ်သည်းဆ

gm/cc (ပေါင်/ပေ3)

3.26

-203.5

ချွေးပေါက်များခြင်း။

% (%)

0

0

အရောင်

မီးခိုးရောင်

Flexural Strength

MPa (ပေါင်/လက်မ2x103)

320

-46.4

Elastic Modulus

Gpa (ပေါင်/လက်မ2x106)

330

-47.8

Shear Modulus

Gpa (ပေါင်/လက်မ2x106)

Bulk Modulus

Gpa (ပေါင်/လက်မ2x106)

Poisson ၏အချိုး

0.24

-0.24

Compressive Strength

MPa (ပေါင်/လက်မ2x103)

2100

-304.5

မာကျောခြင်း။

ကီလိုဂရမ်/မီလီမီတာ2

1100

Fracture Toughness KIC

MPa•m1/2

2.6

အများဆုံးအသုံးပြုမှုအပူချိန်

ဒီဂရီစင်တီဂရိတ် (°F)

(ဝန်မရှိပါ)

အပူ




အပူလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း

W/m•°K (BTU•in/ft2•hr•°F)

140–180

(970–1250)

Thermal Expansion ၏ Coefficient

10–6/°C (၁၀–6/°F)

4.5

-2.5

သတ်မှတ်ထားသော အပူ

J/Kg•°K (Btu/lb•°F)

740

-0.18

လျှပ်စစ်




Dielectric Strength

ac-kv/mm (ဗို့/မီလီမီတာ)

17

-425

Dielectric Constant

@ 1 MHz

9

-9

Dissipation Factor

@ 1 MHz

0.0003

-0.0003

ဆုံးရှုံးမှုတန်ဂျင့်

@ 1 MHz

Volume Resistivity

ohm•cm

>1014



undefined


ထုပ်ပိုးခြင်းနှင့် ပို့ဆောင်ခြင်း။

undefined

Xiamen Wintrustek Advanced Materials Co., Ltd.

လိပ်စာ-No.987 Huli Hi-Tech Park၊ Xiamen၊ China 361009
ဖုန်း-0086 13656035645
ဖုန်း0086-592-5716890


အရောင်း
အီးမေးလ်-sales@wintrustek.com
Whatsapp/Wechat-0086 13656035645


US mail ပို့ပါ။
ကျေးဇူးပြု၍ မက်ဆေ့ချ်ပို့ပြီး သင့်ထံ ပြန်ပို့ပေးပါမည်။
ဆက်စပ်ထုတ်ကုန်များ
Wet diamond polishing pads for graniteအလူမီနီယမ် နိုက်ထရိတ် AlN Ceramic Sheet

အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိတ် AlN Ceramic Sheet

အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိတ် AlN Ceramic Sheet
Wet diamond polishing pads for graniteအလူမီနီယမ် နိုက်ထရိတ် AlN Ceramic ဆလင်ဒါ

အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိတ် AlN Ceramic ဆလင်ဒါ

အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိတ် AlN Ceramic ဆလင်ဒါ
Wet diamond polishing pads for graniteမြင့်မားသော Thermal Conductivity AlN Ceramic Substrate

မြင့်မားသော Thermal Conductivity AlN Ceramic Substrate

မြင့်မားသော Thermal Conductivity AlN Ceramic Substrate
Wet diamond polishing pads for graniteAlN Ceramic Plate

AlN Ceramic Plate

AlN Ceramic Plate
Wet diamond polishing pads for graniteအလူမီနီယမ် နိုက်ထရိတ် ကြွေထည် အစိတ်အပိုင်းများ

အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိတ် ကြွေထည် အစိတ်အပိုင်းများ

အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိတ် ကြွေထည် အစိတ်အပိုင်းများတွင် ပြွန်၊ လက်စွပ်၊ ပန်းကန်ပြား၊ အဝိုင်း၊ လှံတံ၊ Crucible စသည်တို့ ပါဝင်သည်။
Wet diamond polishing pads for graniteအလူမီနီယမ် နိုက်ထရိုက်ပြွန်

အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိုက်ပြွန်

အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိုက်ပြွန်
Wet diamond polishing pads for graniteအပူလျှပ်ကူးနိုင်သော AlN အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိတ် ကြွေပြားချပ်

အပူလျှပ်ကူးနိုင်သော AlN အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိတ် ကြွေပြားချပ်

အပူလျှပ်ကူးနိုင်သော AlN အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိတ် ကြွေပြားချပ်
Wet diamond polishing pads for graniteအလူမီနီယမ် နိုက်ထရိတ် AlN ကြွေထည်အပူပေးစက်

အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိတ် AlN ကြွေထည်အပူပေးစက်

အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိတ် AlN ကြွေထည်အပူပေးစက်
Wet diamond polishing pads for graniteပူပြင်းသော အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိတ်ပြား

ပူပြင်းသော အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိတ်ပြား

ပူပြင်းသော အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိတ်ပြား
မူပိုင်ခွင့် © Wintrustek / sitemap / XML / Privacy Policy   

အိမ်

ထုတ်ကုန်များ

ကြှနျုပျတို့အကွောငျး

ဆက်သွယ်ရန်