Boron Nitride (BN) ကြွေထည်များသည် အထိရောက်ဆုံး နည်းပညာဆိုင်ရာ အဆင့်ရှိသော ကြွေထည်များထဲတွင် ပါဝင်ပါသည်။ ၎င်းတို့သည် ကမ္ဘာ့အလိုအပ်ဆုံး အသုံးချဧရိယာအချို့ရှိ ပြဿနာများကို ဖြေရှင်းရန်အတွက် မြင့်မားသော dielectric strength နှင့် ခြွင်းချက် ဓာတုဗေဒဆိုင်ရာ မသန်စွမ်းမှုတို့ကဲ့သို့သော ထူးထူးခြားခြား အပူချိန်ခံနိုင်သော ဂုဏ်သတ္တိများ ပေါင်းစပ်ထားသည်။
ဘိုရွန်နိုက်ထရိတ် ကြွေထည်များကို မြင့်မားသောအပူချိန်တွင် နှိပ်ခြင်းဖြင့် ထုတ်လုပ်သည်။ ဤနည်းလမ်းသည် အပူချိန် 2000°C နှင့် အလယ်အလတ်မှ များပြားလှသော ဖိအားများကို အသုံးပြုထားပြီး BN အကြမ်းမှုန့်များကို ဘေလက်တစ်တုံးဟု လူသိများသော ကြီးမားပြီး ကျစ်ကျစ်လျစ်လျစ်သော အတုံးတစ်ခုအဖြစ်သို့ လှုံ့ဆော်ပေးသည်။ ဤ Boron Nitride ပုံးပြားများကို ချောမွေ့ပြီး ရှုပ်ထွေးသော ဂျီသြမေတြီ အစိတ်အပိုင်းများအဖြစ် စိုက်ထုတ်၍ မစိုက်ထုတ်နိုင်ပါ။ အစိမ်းရောင် ပစ်ခတ်ခြင်း၊ ကြိတ်ခွဲခြင်းနှင့် အကာအရံများကို မလိုအပ်ဘဲ လွယ်ကူစွာ ပြုပြင်နိုင်ခြင်းသည် အဆင့်မြင့် အင်ဂျင်နီယာ အပလီကေးရှင်း အမျိုးမျိုးတွင် လျင်မြန်သော ပုံတူရိုက်ခြင်း၊ ဒီဇိုင်း ပြုပြင်မွမ်းမံခြင်းနှင့် အရည်အချင်းစစ် စက်ဝန်းများကို လုပ်ဆောင်နိုင်စေပါသည်။
Plasma chamber engineering သည် Boron Nitride ceramics ၏အသုံးပြုမှုတစ်ခုဖြစ်သည်။ BN ၏ sputtering ကိုခံနိုင်ရည်ရှိပြီး အလယ်တန်းအိုင်းယွန်းမျိုးဆက်အတွက် အလားအလာနည်းသော၊ အားကြီးသောလျှပ်စစ်သံလိုက်စက်ကွင်းများရှိနေချိန်တွင်ပင် ၎င်းကို ပလာစမာပတ်ဝန်းကျင်ရှိ အခြားအဆင့်မြင့်ကြွေထည်ပစ္စည်းများနှင့် ခွဲခြားထားသည်။ sputtering ကိုခံနိုင်ရည်ရှိခြင်းသည် အစိတ်အပိုင်းများ၏ တာရှည်ခံမှုကို အထောက်အကူဖြစ်စေပြီး အလယ်တန်းအိုင်းယွန်းမျိုးဆက်နိမ့်ပါက ပလာစမာပတ်ဝန်းကျင်၏ သမာဓိကို ထိန်းသိမ်းပေးပါသည်။ ၎င်းကို ပလာစမာ မြှင့်တင်ထားသော ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ အခိုးအငွေ့ စုဆောင်းခြင်း (PVD) အပါအဝင် ပါးလွှာသော ဖလင်အပေါ်ယံပိုင်း လုပ်ငန်းစဉ် အမျိုးမျိုးတွင် အဆင့်မြင့် insulator အဖြစ် အသုံးပြုထားသည်။
Physical vapor deposition သည် ဖုန်စုပ်စက်ဖြင့် ပြုလုပ်ထားသော ပါးလွှာသော ဖလင်အပေါ်ယံပိုင်းနည်းပညာများစွာအတွက် အသုံးအနှုန်းဖြစ်ပြီး မတူညီသော ပစ္စည်းများ၏ မျက်နှာပြင်ကို ပြောင်းလဲရန်အတွက် အသုံးပြုကြသည်။ လူများသည် optoelectronic ကိရိယာများ၊ တိကျသော မော်တော်ယာဥ်နှင့် အာကာသယာဉ်အစိတ်အပိုင်းများနှင့် အခြားအရာများကို ပြုလုပ်သည့်အခါ ပစ်မှတ်ကို အလွှာတစ်ခု၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် ပစ်မှတ်ထား၍ ပြုလုပ်ရန် sputtering deposition နှင့် PVD coating ကို အသုံးပြုကြသည်။ Sputtering သည် ပလာစမာကို ပစ်မှတ်ကို ဆက်လက်ထိမှန်စေပြီး အမှုန်အမွှားများကို တွန်းထုတ်ရန်အတွက် ပလာစမာကို အသုံးပြုသည့် ထူးခြားဖြစ်စဉ်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ဘိုရွန်နိုက်ထရိတ် ကြွေထည်များကို ပစ်မှတ်ပစ္စည်းပေါ်ရှိ ပလာစမာအောက်ပိုင်းအခန်းများအတွင်း ပလာစမာအောက်ပိုင်းများကို ချုပ်နှောင်ထားရန်နှင့် ပေါင်းစပ်အခန်းအစိတ်အပိုင်းများ တိုက်စားခြင်းမှ ကာကွယ်ရန် အများအားဖြင့် အသုံးပြုကြသည်။
ဂြိုဟ်တု Hall-effect thrusters များကို ပိုကောင်းပြီး ကြာရှည်ခံစေရန်အတွက် Boron Nitride ကြွေထည်များကို အသုံးပြုထားသည်။
Hall effect thrusters များသည် ပလာစမာ၏အကူအညီဖြင့် ဂြိုလ်တုများကို ပတ်လမ်းအတွင်းနှင့် နက်ရှိုင်းသောအာကာသအတွင်း စူးစမ်းလေ့လာမှုများပြုလုပ်ကြသည်။ ဤပလာစမာသည် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်သော ကြွေထည်လမ်းကြောင်းကို အိုင်ယွန်ဓာတ်အား အိုင်ယွန်ဖြစ်စေရန်အတွက် အသုံးပြုသောအခါတွင် ၎င်းသည် အားကောင်းသော အချင်းများသော သံလိုက်စက်ကွင်းတစ်ခုမှတစ်ဆင့် ရွေ့လျားသွားသည့်အခါ ပြုလုပ်သည်။ ပလာစမာကို အရှိန်မြှင့်ရန်နှင့် စွန့်ထုတ်လမ်းကြောင်းမှတဆင့် ရွေ့လျားရန်အတွက် လျှပ်စစ်စက်ကွင်းကို အသုံးပြုသည်။ ပလာစမာသည် ချန်နယ်ကို တစ်နာရီလျှင် မိုင်ထောင်ပေါင်းများစွာ အရှိန်ဖြင့် ထွက်ခွာသွားနိုင်သည်။ Plasma erosion သည် ဤအဆင့်မြင့်နည်းပညာအတွက် ပြဿနာတစ်ခုဖြစ်သည့် ကြွေထည်စွန့်ပစ်လမ်းကြောင်းများကို လျင်မြန်စွာ ဖြိုခွဲနိုင်ခြေရှိသည်။ ဘိုရွန်နိုက်ထရိတ် ကြွေထည်များကို ၎င်းတို့၏ ionization ထိရောက်မှု သို့မဟုတ် တွန်းကန်အားကို မထိခိုက်စေဘဲ Hall-effect plasma thrusters များ၏ သက်တမ်းကို တိုးမြှင့်ရန်အတွက် အောင်မြင်စွာ အသုံးပြုထားပါသည်။