Бериллий ислийн керамик нь хамгийн тохиромжтой дулаан дамжилтын илтгэлцүүртэй тул төхөөрөмжийн ашиглалтын хугацаа, чанарыг сайжруулах, төхөөрөмжийг жижгэрүүлэх, төхөөрөмжийн хүчийг нэмэгдүүлэхэд тустай тул сансар огторгуй, цөмийн эрчим хүч зэрэгт өргөн ашиглах боломжтой. , металлургийн инженерчлэл, электрон үйлдвэрлэл, пуужингийн үйлдвэрлэл гэх мэт.

Хөнгөн цагаан нитридын керамик нь маш сайн гүйцэтгэлтэй, хагас дамжуулагч субстрат болон бүтцийн савлагааны материалд тохиромжтой бөгөөд электроникийн салбарт ашиглах боломжтой.

Si3N4 нь дотоод болон гадаадад өндөр дулаан дамжуулалттай, өндөр найдвартай керамик субстратын шилдэг материал гэдгээрээ алдартай. Si3N4 керамик субстратын дулаан дамжилтын илтгэлцүүр нь AlN-ээс бага зэрэг бага боловч гулзайлтын бат бэх, хугарлын бат бөх чанар нь AlN-ээс хоёр дахин их байдаг. Үүний зэрэгцээ Si3N4 керамикийн дулаан дамжуулалт нь Al2O3 c-ээс хамаагүй өндөр байдаг.

21-р зуунаас сум нэвтэрдэггүй керамикууд хөнгөн цагааны исэл, цахиурын карбид, борын карбид, цахиурын нитрид, титан борид гэх мэт олон төрлөөр хурдацтай хөгжиж байна. Эдгээрээс хөнгөн цагаан керамик (Al2O3), цахиурын карбидын керамик (SiC) болон борын карбидын керамикууд орно. (B4C) нь хамгийн өргөн хэрэглэгддэг.