Ny fitaovana seramika refractory avo lenta 3YSZ, na ilay antsoina hoe tetragonal zirconia polycrystal (TZP), dia vita amin'ny zirconium oxide izay niorina tamin'ny 3% mol yttrium oxide.

Ny fitambarana tsy metaly misy silisiôma sy azota, silisiôma nitride (Si3N4) dia fitaovana seramika mandroso miaraka amin'ny fifangaroan'ny mekanika, mafana ary elektrika. Fanampin'izany, raha oharina amin'ny ankamaroan'ny seramika hafa, dia seramika avo lenta izy io miaraka amin'ny coefficient fanitarana hafanana ambany izay manome fanoherana mahery vaika mafana.

Pyrolytic BN na PBN dia fohy ho an'ny pyrolytic boron nitride. Izy io dia karazana boron nitride hexagonal noforonin'ny fomba simika etona deposition (CVD), ary boron nitride faran'izay madio izay mety hahatratra mihoatra ny 99.99%, tsy misy porosity.

Silicon carbide (SiC) dia fitaovana seramika izay ambolena matetika ho kristaly tokana ho an'ny fampiharana semiconductor. Noho ny fananana ara-nofo sy ny fitomboan'ny kristaly tokana, dia iray amin'ireo fitaovana semiconductor maharitra indrindra eny an-tsena. Ity faharetana ity dia mihoatra lavitra noho ny fiasan'ny herinaratra.

Ny seramika Boron Nitride (BN) dia anisan'ny seramika ara-teknika mahomby indrindra. Izy ireo dia manambatra ny toetra mahatohitra ny mari-pana, toy ny conductivity mafana avo lenta, miaraka amin'ny tanjaky ny dielectric avo sy ny tsy fahampian'ny simika miavaka mba hamahana olana any amin'ny faritra sasany amin'ny fampiharana indrindra eran-tany.

Ny substrate vita amin'ny seramika manify dia antsoina koa hoe fitaovana semiconductor. Izy io dia vita amin'ny sosona manify maromaro natsangana tamin'ny alàlan'ny fametahana banga, fametahana, na fomba sputtering. Ny takelaka fitaratra misy hatevin'ny latsaky ny iray milimetatra izay roa-dimensional (fisaka) na telo-dimensional dia heverina ho substrate seramika manify. Izy ireo dia azo amboarina avy amin'ny v

Raha ny Si3N4 dia manambatra ny conductivity mafana tsara sy ny fahombiazan'ny mekanika. Ny conductivity mafana dia azo faritana amin'ny 90 W / mK, ary ny hamafin'ny tapaka no ambony indrindra amin'ireo seramika ampitahaina. Ireo toetra ireo dia manoro hevitra fa ny Si3N4 dia hampiseho ny fahamendrehana ambony indrindra amin'ny maha substrate metaly.

Ny seramika boron nitride dia manana tanjaky ny hery miavaka sy ny fahombiazan'ny hafanana izay tsy miova, ka mahatonga azy ireo ho safidy tsara indrindra amin'ny fanaovana ny nozzles izay ampiasaina amin'ny atomization ny metaly nidina.

Boron Carbide (B4C) dia seramika maharitra misy Boron sy karbaona. Boron Carbide dia iray amin'ireo akora mafy indrindra fantatra, laharana fahatelo aorian'ny cubic Boron nitride sy diamondra. Izy io dia fitaovana covalent ampiasaina amin'ny fampiharana isan-karazany, ao anatin'izany ny fiadiana tanky, akanjo tsy misy bala ary vovoka sabotage motera. Raha ny marina, io no fitaovana tiana ho an'ny fampiharana indostrialy isan-karazany

Conductivity mafana mafana sy ambany coefficient ny fanitarana mafana. Ity fitambaran'ny fananana ity dia manome fanoherana mahery vaika mahery vaika, mahatonga ny seramika Silicon Carbide ilaina amin'ny indostria isan-karazany. Izy io koa dia semiconductor ary ny fananana elektrônika dia mahatonga azy ho mety amin'ny fampiharana isan-karazany. Izy io koa dia fantatra amin'ny hamafin'ny harafesiny sy ny fanoherana ny harafesiny.