(ຜະລິດຕະພັນ SIC ໃຊ້ໃນ semiconductor ທີ່ຜະລິດໂດຍ wintrustek)
Carbide Silicon, ຫຼືSic, ແມ່ນວັດສະດຸພື້ນຖານທີ່ມີ semiconductor ທີ່ເຮັດດ້ວຍຊິລິໂຄນແລະກາກບອນທັງຫມົດ. SIC ສາມາດໄດ້ຮັບການ doped ກັບ phosphorus ຫຼືໄນໂຕຣເຈນໃນການສ້າງ semiconductor n ປະເພດ, ຫຼືກັບ berylullium, boron, arbonum, allyium, ຫຼື gallium ເພື່ອສ້າງ semiconductor p type.
ຂໍ້ໄດ້ປຽບ
ຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງສຸດທີ່ສູງສຸດ
120-270 w / mk ຂອງການປະຕິບັດຄວາມຮ້ອນສູງ
Five 4.0x10 ^ -6 / ° C ທີ່ມີຕົວຄູນຂອງການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ
Carbide Siliconມີການນໍາໃຊ້ໄຟຟ້າທີ່ໂດດເດັ່ນເປັນຍ້ອນຄຸນສົມບັດສາມຢ່າງນີ້, ໂດຍສະເພາະໃນເວລາທີ່ກົງກັນຂ້າມກັບຍາດພີ່ນ້ອງທີ່ມີຊື່ສຽງ, ຊິລິໂຄນ. ເນື່ອງຈາກຄຸນສົມບັດທີ່ເປັນເອກະລັກສະເພາະ, Sicແມ່ນວັດສະດຸທີ່ຕ້ອງການຫຼາຍສໍາລັບການນໍາໃຊ້ພະລັງງານສູງທີ່ຕ້ອງການອຸນຫະພູມສູງ, ໃນປະຈຸບັນ, ແລະຄວາມຮ້ອນສູງ.
Sicໄດ້ເກີດຂື້ນເປັນກໍາລັງທີ່ສໍາຄັນໃນທຸລະກິດທີ່ມີ semiconductor, ການສະຫນອງພະລັງງານໃນການນໍາໃຊ້ໂມດູນພະລັງງານ, ແລະ mosfets ສໍາລັບໃຊ້ໃນການນໍາໃຊ້ທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງ. Sic ຊ່ວຍໃຫ້ຂອບເຂດແຮງດັນໄຟຟ້າໃນໄລຍະເວລາ 10kV, ເຖິງວ່າມັນຈະແພງກວ່າ Silicon Mosfets, ເຊິ່ງປົກກະຕິແລ້ວແມ່ນຖືກຈໍາກັດໃນການແບ່ງປັນຄວາມດັນທີ່ຢູ່ທີ່ 900V.
ນອກຈາກນັ້ນ,Sicສາມາດຈັດການກັບຄວາມຖີ່ຂອງການດໍາເນີນງານສູງແລະມີການປ່ຽນແປງທີ່ຕໍ່າຫຼາຍ, ເຊິ່ງຊ່ວຍໃຫ້ມັນສາມາດບັນລຸປະສິດທິພາບທີ່ບໍ່ມີປະສິດຕິພາບໃນປະຈຸບັນ, ໂດຍສະເພາະແມ່ນປະຕິບັດງານທີ່ voltages ສູງກວ່າ 600 ໂວນ. SIC ອຸປະກອນສາມາດຕັດຂະຫນາດໄດ້ 300%, ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນລະບົບທັງຫມົດ 20%, ແລະປ່ຽນລະບົບການສູນເສຍໂດຍ 50% ເມື່ອຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງຖືກຕ້ອງ. ເນື່ອງຈາກວ່າລະດັບຂອງລະບົບທັງຫມົດນີ້ຫຼຸດລົງ, SIC ສາມາດເປັນປະໂຫຍດຫຼາຍໃນການນໍາໃຊ້ບ່ອນທີ່ມີນ້ໍາຫນັກແລະພື້ນທີ່ສໍາຄັນ.
ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ
ອຸດສາຫະກໍາແສງອາທິດ
ປະສິດທິພາບແລະການຫຼຸດຜ່ອນຄ່າໃຊ້ຈ່າຍແມ່ນຍັງໄດ້ຮັບຜົນກະທົບຢ່າງຫຼວງຫຼາຍໂດຍການດັດແປງ inverter sic -able. ໃນເວລາທີ່ຊິລິໂຄນ Carbide ຖືກນໍາໃຊ້ໃນ inolverts ແສງຕາເວັນ, ຄວາມຖີ່ຂອງລະບົບການປ່ຽນແມ່ນເພີ່ມຂຶ້ນສອງຫາສາມຄັ້ງເມື່ອທຽບໃສ່ກັບມາດຕະຖານຊິລິໂຄນ. ການເພີ່ມຂື້ນຂອງຄວາມຖີ່ຂອງການປ່ຽນແປງນີ້ເຮັດໃຫ້ມັນສາມາດຫຼຸດຜ່ອນແມ່ເຫຼັກໃນວົງຈອນ, ເຊິ່ງຊ່ວຍປະຢັດພື້ນທີ່ແລະເງິນທີ່ສໍາຄັນ. ຜົນສະທ້ອນ, ການອອກແບບ Inverter ໂດຍອີງໃສ່ຊິລິໂຄນ Carbide ສາມາດເກືອບເຄິ່ງຫນຶ່ງແລະຫນັກເທົ່າກັບສິ່ງທີ່ອີງໃສ່ຊິລິໂຄນ. Sic ຄວາມອົດທົນແລະຄວາມເພິ່ງພໍໃຈທີ່ຫມັ້ນຄົງດ້ານວັດຖຸອື່ນໆເຊັ່ນ Gallium Nitride, ແມ່ນອີກເຫດຜົນທີ່ຊຸກຍູ້ຜູ້ຊ່ຽວຊານດ້ານພະລັງງານແລະຜູ້ຜະລິດໃຫ້ຈ້າງ. ເນື່ອງຈາກວ່າຊິລິໂຄນ Carbide ແມ່ນສາມາດຍ່ອຍໄດ້, ລະບົບແສງຕາເວັນສາມາດບັນລຸຕະຫຼອດຊີວິດທີ່ຍືນຍົງທີ່ຕ້ອງການເພື່ອດໍາເນີນການຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງເປັນເວລາຫຼາຍກວ່າສິບປີ.
ການນໍາໃຊ້ EV
ອຸດສາຫະກໍາລະບົບທີ່ມີລະບົບປະເທດ EV ແລະ EV ຈາກທັດສະນະຂອງພາຫະນະ, SIC ແມ່ນທາງເລືອກທີ່ດີສໍາລັບເຄື່ອງຈັກຂັບເຄື່ອນ, ເຊິ່ງປະກອບມີລົດໄຟໄຟຟ້າເຊັ່ນດຽວກັນກັບລົດໄຟທີ່ເດີນທາງຕາມຖະຫນົນຂອງພວກເຮົາ.
Sicແມ່ນຕົວເລືອກທີ່ດີສໍາລັບລະບົບໄຟຟ້າຂັບເຄື່ອນເຄື່ອງຈັກເນື່ອງໃນການຕິດຕັ້ງແລະການປະຕິບັດຂອງມັນ. ຍິ່ງໄປກວ່ານັ້ນ, ໂດຍໃຊ້ SIC ສາມາດຫຼຸດຜ່ອນຂະຫນາດຂອງລະບົບແລະອັດຕາປະສິດທິພາບທີ່ສໍາຄັນ, ເນື່ອງຈາກວ່າລະບົບທີ່ໃຊ້ໃນຂະຫນາດສູງ
ການນໍາໃຊ້ SIC ໃນລະບົບສາກແບັດເຕີຣີເງິນໂບຮານກໍາລັງຂະຫຍາຍອອກໄປ. ໄລຍະເວລາຂອງເວລາທີ່ມັນໃຊ້ເວລາໃນການທົດແທນແບັດເຕີຣີແມ່ນຫນຶ່ງໃນອຸປະສັກຕົ້ນຕໍຂອງການລ້ຽງຄືນ EV. ຜູ້ຜະລິດກໍາລັງຊອກຫາວິທີການທີ່ຈະເຮັດໃຫ້ເວລາໃດຫນຶ່ງສັ້ນລົງ, ແລະ SIC ມັກຈະເປັນທາງອອກ. ການນໍາໃຊ້ສ່ວນປະກອບພະລັງງານຂອງ SIC ໃນການສາກໄຟຟ້ານອກກະດານອະນຸຍາດໃຫ້ຜະລິດຕະພັນສະຖານີສົ່ງເສີມຄວາມສາມາດໃນການສົ່ງເສີມຂອງ SIC.
ອຸປະກອນພະລັງງານທີ່ບໍ່ສາມາດກໍານົດໄດ້ແລະສູນຂໍ້ມູນ
ພາລະບົດບາດຂອງສູນຂໍ້ມູນກໍາລັງກາຍມາເປັນສິ່ງສໍາຄັນກວ່າເກົ່າແກ່ບໍລິສັດຂອງທຸກຂະຫນາດແລະອຸດສາຫະກໍາໃນຂະນະທີ່ພວກເຂົາກໍາລັງປ່ຽນແປງດິຈິຕອນ.
Sicສາມາດປະຕິບັດງານເຢັນໄດ້ໂດຍບໍ່ມີການປະຕິບັດການປະນີປະນອມແລະມີປະສິດທິພາບຄວາມຮ້ອນສູງກວ່າ. ນອກຈາກນັ້ນ, ສູນຂໍ້ມູນການນໍາໃຊ້ສ່ວນປະກອບຂອງ SIC ອາດຈະເປັນອຸປະກອນເພີ່ມເຕີມໃນຮ່ອງຮອຍທີ່ນ້ອຍກວ່າເນື່ອງຈາກຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງພະລັງງານທີ່ເພີ່ມຂື້ນ.
ເຄື່ອງໃຊ້ພະລັງງານທີ່ບໍ່ສາມາດລະບາດໄດ້ (UPS) ເຊິ່ງຊ່ວຍໃຫ້ລະບົບການຊ່ວຍເຫຼືອທີ່ຊ່ວຍໃນການດໍາເນີນງານແມ່ນແຕ່ໃນກໍລະນີທີ່ມີຄຸນລັກສະນະເພີ່ມເຕີມຂອງສູນຂໍ້ມູນເຫຼົ່ານີ້. ເນື່ອງຈາກວ່າມີຄວາມຫມັ້ນຄົງ, ປະສິດທິຜົນຂອງມັນ, ແລະຄວາມສາມາດໃນການໃຫ້ອໍານາດທີ່ສະອາດດ້ວຍການສູນເສຍຫນ້ອຍ, SIC ໄດ້ພົບສະຖານທີ່ໃນລະບົບ UPS. ມັນຈະມີການສູນເສຍໃນເວລາທີ່ APS ປ່ຽນພະລັງງານ DC ກັບພະລັງງານ AC; ການສູນເສຍເຫຼົ່ານີ້ຫຼຸດຜ່ອນຈໍານວນເວລາທີ່ໃຊ້ໃນການສະຫນັບສະຫນູນການສໍາຮອງ. SIC ປະກອບສ່ວນເຮັດໃຫ້ການສູນເສຍເຫຼົ່ານີ້ຫຼຸດລົງແລະຍົກສູງຄວາມສາມາດໃນການຍົກສູງຄວາມສາມາດ. ໃນເວລາທີ່ພື້ນທີ່ມີຈໍານວນຈໍາກັດ, ລະບົບ UPS ທີ່ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງພະລັງງານສູງກໍ່ສາມາດເຮັດວຽກໄດ້ດີກວ່າໂດຍບໍ່ຕ້ອງມີຫ້ອງທີ່ສໍາຄັນກວ່າ, ເຊິ່ງສໍາຄັນ.
ສະຫລຸບ,Sicກໍາລັງຈະເປັນສ່ວນປະກອບສໍາຄັນຂອງການອອກແບບ semiconductor ສໍາລັບຫຼາຍປີທີ່ຈະມາເປັນສະມາຊິກທີ່ຂະຫຍາຍ.
