Silicon Carbide, ຊຶ່ງເອີ້ນກັນວ່າ carborundum, ແມ່ນສານປະກອບ silicon-carbon. ທາດປະສົມເຄມີນີ້ແມ່ນອົງປະກອບຂອງ moissanite ແຮ່ທາດ. ຮູບແບບທີ່ເກີດຂື້ນຕາມທໍາມະຊາດຂອງ Silicon Carbide ແມ່ນຕັ້ງຊື່ຕາມທ່ານດຣ Ferdinand Henri Moissan, ແພດການຢາຊາວຝຣັ່ງ. ໂດຍທົ່ວໄປແລ້ວ Moissanite ແມ່ນພົບເຫັນຢູ່ໃນຈໍານວນນາທີໃນ meteorites, kimberlite, ແລະ corundum. ນີ້ແມ່ນວິທີການການຄ້າ Silicon Carbide ຫຼາຍທີ່ສຸດ. ເຖິງແມ່ນວ່າ Silicon Carbide ທີ່ເກີດຂຶ້ນຕາມທໍາມະຊາດແມ່ນຍາກທີ່ຈະຊອກຫາຢູ່ໃນໂລກ, ມັນມີຄວາມອຸດົມສົມບູນໃນອາວະກາດ.

ການປ່ຽນແປງຂອງ Silicon Carbide

ຜະລິດຕະພັນ Silicon Carbide ແມ່ນຜະລິດຢູ່ໃນສີ່ຮູບແບບເພື່ອນໍາໃຊ້ໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກວິສະວະກໍາການຄ້າ. ເຫຼົ່ານີ້ລວມມີ

Sintered Silicon Carbide (SSiC)

ປະຕິກິລິຍາ Bonded Silicon Carbide (RBSiC ຫຼື SiSiC)

Nitride ຜູກມັດຊິລິໂຄນຄາໄບ (NSiC)

Recrystallized Silicon Carbide (RSiC)

ການປ່ຽນແປງອື່ນໆຂອງພັນທະບັດປະກອບມີ SIALON bonded Silicon Carbide. ນອກຈາກນີ້ຍັງມີ CVD Silicon Carbide (CVD-SiC), ເຊິ່ງເປັນຮູບແບບທີ່ບໍລິສຸດຂອງສານປະສົມທີ່ຜະລິດໂດຍການລະບາຍອາຍຂອງສານເຄມີ.

ໃນຄໍາສັ່ງທີ່ຈະ sinter Silicon Carbide, ມັນເປັນສິ່ງຈໍາເປັນທີ່ຈະເພີ່ມ sintering aids ທີ່ຊ່ວຍປະກອບເປັນໄລຍະຂອງແຫຼວຢູ່ໃນອຸນຫະພູມ sintering, ອະນຸຍາດໃຫ້ເມັດ Silicon Carbide ຜູກພັນກັນ.

ຄຸນສົມບັດຫຼັກຂອງ Silicon Carbide

ການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງແລະຄ່າສໍາປະສິດຕ່ໍາຂອງການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ. ການປະສົມປະສານຂອງຄຸນສົມບັດນີ້ໃຫ້ຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນພິເສດ, ເຮັດໃຫ້ເຊລາມິກ Silicon Carbide ມີປະໂຫຍດໃນອຸດສາຫະກໍາທີ່ກວ້າງຂວາງ. ມັນຍັງເປັນ semiconductor ແລະຄຸນສົມບັດທາງໄຟຟ້າຂອງມັນເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມສໍາລັບການນໍາໃຊ້ທີ່ກວ້າງຂວາງ. ມັນຍັງເປັນທີ່ຮູ້ຈັກສໍາລັບຄວາມແຂງກະດ້າງທີ່ສຸດແລະການຕໍ່ຕ້ານ corrosion.

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງ Silicon Carbide

Silicon Carbide ສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ໃນອຸດສາຫະກໍາທີ່ກວ້າງຂວາງ.

ຄວາມແຂງທາງກາຍະພາບຂອງມັນເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມສໍາລັບຂະບວນການເຄື່ອງຂັດເຊັ່ນ: ການຂັດ, ການຂັດ, ການຂັດດິນຊາຍ, ແລະການຕັດ waterjet.

ຄວາມສາມາດຂອງ Silicon Carbide ທີ່ຈະທົນກັບອຸນຫະພູມທີ່ສູງທີ່ສຸດໂດຍບໍ່ມີການ cracking ຫຼື deforming ໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ໃນການຜະລິດແຜ່ນຫ້າມລໍ້ ceramic ສໍາລັບລົດກິລາ. ມັນຍັງຖືກນໍາໃຊ້ເປັນອຸປະກອນປະຈໍາຕະກູນໃນ bulletproof vests ແລະເປັນອຸປະກອນການປິດປະທັບຕາສໍາລັບການປະທັບຕາ shaft ສູບ, ບ່ອນທີ່ມັນມັກຈະແລ່ນດ້ວຍຄວາມໄວສູງໃນການຕິດຕໍ່ກັບປະທັບຕາ Silicon Carbide. ການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງຂອງ Silicon Carbide, ເຊິ່ງສາມາດ dissipate ຄວາມຮ້ອນ frictional ທີ່ຜະລິດໂດຍການໂຕ້ຕອບ rubbing, ເປັນຂໍ້ໄດ້ປຽບທີ່ສໍາຄັນໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກເຫຼົ່ານີ້.

ເນື່ອງຈາກຄວາມແຂງຂອງພື້ນຜິວສູງຂອງວັດສະດຸ, ມັນຖືກນໍາໃຊ້ໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກວິສະວະກໍາຈໍານວນຫຼາຍທີ່ລະດັບສູງຂອງຄວາມຕ້ານທານກັບການເລື່ອນ, ເຊາະເຈື່ອນແລະ corrosive ພັຍແມ່ນຕ້ອງການ. ໂດຍປົກກະຕິ, ນີ້ໃຊ້ກັບອົງປະກອບທີ່ໃຊ້ໃນປັ໊ມຫຼືວາວໃນການນໍາໃຊ້ບ່ອນນ້ໍາມັນ, ບ່ອນທີ່ອົງປະກອບໂລຫະທໍາມະດາຈະສະແດງອັດຕາການສວມຫຼາຍເກີນໄປທີ່ນໍາໄປສູ່ຄວາມລົ້ມເຫຼວຢ່າງໄວວາ.

ຄຸນສົມບັດໄຟຟ້າພິເສດຂອງສານປະກອບເປັນ semiconductor ເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມສໍາລັບການຜະລິດ diodes ultrafast ແລະແຮງດັນສູງ, MOSFETs, ແລະ thyristors ສໍາລັບການສະຫຼັບພະລັງງານສູງ.

ຄ່າສໍາປະສິດຕໍ່າຂອງການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ, ຄວາມແຂງ, ຄວາມແຂງ, ແລະຄວາມຮ້ອນເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມສໍາລັບກະຈົກ telescope ດາລາສາດ. pyrometry filament ບາງແມ່ນເຕັກນິກການ optical ທີ່ນໍາໃຊ້ filaments Silicon Carbide ເພື່ອວັດແທກອຸນຫະພູມຂອງອາຍແກັສ.

ມັນຍັງຖືກນໍາໃຊ້ໃນອົງປະກອບຄວາມຮ້ອນທີ່ຕ້ອງທົນກັບອຸນຫະພູມທີ່ສູງທີ່ສຸດ. ມັນຍັງຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອສະຫນັບສະຫນູນໂຄງສ້າງໃນເຕົາປະຕິກອນນິວເຄລຍທີ່ມີອາຍແກັສທີ່ມີຄວາມຮ້ອນສູງ.