De Moment huet de wuessende Geruff fir den Ëmweltschutz an d'Energiekonservatioun heemlech nei Energie elektresch Gefierer an d'Luucht bruecht. Héich Kraaft Package Geräter spillen eng entscheedend Roll bei der Reguléierung vun der Geschwindegkeet vum Gefier an der Späichere vun der Konvertéierung vun AC an DC. Déi héichfrequenz thermesch Cycling huet strikt Ufuerderunge fir d'Hëtztvergëftung vun der elektronescher Verpackung gesat, während d'Komplexitéit an d'Diversitéit vum Aarbechtsëmfeld Verpackungsmaterialien erfuerderen fir gutt thermesch Schockbeständegkeet an héich Kraaft ze hunn fir eng ënnerstëtzend Roll ze spillen. Zousätzlech, mat der rapider Entwécklung vun der moderner Kraaftelektronik Technologie, déi duerch Héichspannung, héije Stroum an héich Frequenz charakteriséiert ass, ass d'Wärmevergëftungseffizienz vu Kraaftmoduler, déi op dës Technologie applizéiert ginn, méi kritesch ginn. Keramik Substratmaterialien an elektronesche Verpackungssystemer sinn de Schlëssel fir effizient Wärmevergëftung, si hunn och héich Kraaft an Zouverlässegkeet als Äntwert op d'Komplexitéit vum Aarbechtsëmfeld. D'Haapt Keramik Substrater, déi an de leschte Joeren masseproduzéiert a wäit benotzt goufen, sinn Al2O3, BeO, SiC, Si3N4, AlN, etc.
Al2O3 Keramik spillt eng wichteg Roll an der Wärmevergëftungssubstratindustrie baséiert op sengem einfache Virbereedungsprozess, gudder Isolatioun an héijer Temperaturresistenz. Wéi och ëmmer, déi geréng thermesch Konduktivitéit vun Al2O3 kann net den Entwécklungsfuerderunge vum Héichkraaft- an Héichspannungsapparat erfëllen, an et ass nëmmen applicabel fir d'Aarbechtsëmfeld mat nidderegen Wärmevergëftungsfuerderunge. Ausserdeem limitéiert d'niddereg Béiekraaft och den Uwendungsraum vun Al2O3 Keramik als Wärmevergëftungssubstrater.
BeO Keramik Substrater hunn eng héich thermesch Konduktivitéit an eng niddreg dielektresch Konstant fir den Ufuerderunge vun der effizienter Wärmevergëftung z'erreechen. Awer et ass net förderlech fir grouss Skala Uwendung wéinst senger Toxizitéit, déi d'Gesondheet vun den Aarbechter beaflosst.
AlN Keramik gëtt als Kandidatmaterial fir Wärmevergëftungssubstrat ugesinn wéinst senger héijer thermescher Konduktivitéit. Awer AlN Keramik huet schlecht thermesch Schockresistenz, einfach Deliqueszenz, geréng Kraaft an Zähegkeet, wat net förderlech ass fir an engem komplexen Ëmfeld ze schaffen, an et ass schwéier d'Zouverlässegkeet vun Applikatiounen ze garantéieren.
SiC Keramik huet héich thermesch Konduktivitéit, wéinst sengem héije dielektresche Verloscht a gerénger Decomptespannung, ass et net gëeegent fir Uwendungen an Héichfrequenz- a Spannungsbetribsëmfeld.
Si3N4 ass unerkannt als dat bescht Keramik Substratmaterial mat héijer thermescher Konduktivitéit an héijer Zouverlässegkeet doheem an am Ausland. Obwuel d'thermesch Leit vun Si3N4 Keramik Substrat liicht manner ass wéi déi vun AlN, seng flexural Kraaft a Fraktur Zähegkeet kann méi wéi zweemol déi vun AlN erreechen. Mëttlerweil ass d'thermesch Konduktivitéit vu Si3N4 Keramik vill méi héich wéi déi vun Al2O3 Keramik. Zousätzlech ass de Koeffizient vun der thermescher Expansioun vu Si3N4 Keramiksubstrater no bei deem vu SiC Kristalle, dem 3. Et mécht Si3N4 dat bevorzugt Material fir héich thermesch Konduktivitéitssubstrater fir 3. Generatioun SiC Halbleiter Kraaftapparater.
