열분해 질화붕소 PBN 제품
열분해 질화붕소(PBN)는 암모니아 가스(NH3)와 삼염화붕소(BCI3)와 같은 할로겐화붕소 기체가 고온의 CVD 로에서 반응하여 증착되는 잘 알려진 CVD(화학 기상 증착) 공정으로 제조됩니다. 열분해 흑연과 같은 적절한 기판 위의 PBN.
PBN은 고유의 순도와 우수한 기계적 특성으로 인해 게르마늄(Ge), 갈륨비소(GaAs), 인듐인산염(InP)과 같은 고온로 및 전기 부품, 반도체, 마이크로파 화합물 결정에 탁월한 선택으로 알려져 있습니다. 및 물리화학적 안정성. PBN은 진공 상태에서 1800°C, 질소 상태에서 2000°C를 견딜 수 있어 용광로 부품 및 용해 용기에 적합한 선택입니다.
VGF 도가니는 수직 구배 동결(VGF) 기술을 사용하여 GaAs, InP, CZGaP 및 Ge 결정과 같은 결정을 합성하기 위한 일종의 용기입니다.
육각형 결정 격자의 적층 구조
결정의 기저면에 수직인 특수 특성
우수한 구조적, 물리화학적 안정성
이방성 구조
높은 열 안정성
비습윤
무독성
반도체 결정 성장용 도가니
RF 및 마이크로파용 웨이브 튜브
마이크로파 방사선을 받는 창문
전기 절연체
독특한 특성과 높은 구조적, 물리화학적 안정성을 지닌 PBN은 다음과 같은 이유로 최선의 선택이 될 수 있습니다.
VGF(수직 경사 냉동) 공정용 PBN 도가니
LEC(액체 캡슐화 Czochralski) 공정용 PBN 도가니
MBE(분자선 에피택시) 공정용 PBN 용기
화합물 반도체 및 합금 가공용 PBN 보트
PBN MOCVD(금속-유기 CVD) 절연 보드 및 MBE 절연 링
고온 진공 장비용 PBN 전기 절연 부싱
나선형 구조의 PBN 진행파관(TWT)
분석요소 | 결과(μg/g) | 분석요소 | 결과(μg/g) |
Li | <0.005 | Si | 1.7 |
F | <0.005 | CI | <0.005 |
Na | <0.005 | S | <0.005 |
포장 및 배송
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