(B4C bag fousing ki te pwodwi paWintrustek)

Boran Carbide (B₄C)se konsidere kòm yon eksepsyonèlman difisil ak mete-reziste teknik seramik materyèl akòz karakteristik li yo. Poutèt sa, li pafè pou manyen materyèl trè difisil, si yo ap frenn yo aji kòm yon bouch eksplozif oswa yo nan poud oswa keratin fòm ak itilize kòm yon ajan abrazif oswa lapping. Pwodwi ki fèt nan carbure bor gen yon lavi sèvis trè long, ti kras mete, ak pri abòdab. Anplis de sa, nouvo ekipman militè itilize konstriksyon ki lejè konpoze ki fèt ak carbure bor pou pwoteksyon balistik. Sa a se sibstans ki sou versatile tou itilize kòm yon filler, pou egzanp, ranfòse rezistans yon materyèl nan mete nan metal oswa plastik, kòm semi-kondiktè segondè-tanperati, oswa kòm absorbers nan netwon nan réacteurs nikleyè.

Seramik carbure borAvèk kapasite semi-conducteurs ak fò konduktiviti tèmik ka travay kòm segondè-tanperati konpozan semi-conducteurs, osi byen ke disk distribisyon gaz, konsantre bag, mikwo ond oswa fenèt enfrawouj, ak DC ploge nan sektè a semi-conducteurs. Lè pè ak C, B4C ka itilize kòm yon radyasyon ki reziste eleman thermoelectric ak kòm yon eleman segondè-tanperati thermocouple ak yon tanperati sèvis ki rive jiska 2300 ° C.

B4C konsantre bag

Pwodwi yo itilize nan etap nan grave nan fabrike wafer yo se bag konsantre. Li kenbe wafer estasyonè a pou ke se dansite nan plasma konsève ak plak pwotèj flan wafer a soti nan kontaminasyon.

Nan tan lontan, bag konsantre yo te fè nan Silisyòm ak kwatz. Sepandan, bezwen an pouSilisyòm carbure (sik)Konsantre bag elaji ansanm ak l 'a nan grave sèk sou grave mouye pou fabrikasyon wafer avanse.

B4C se rezistan a plasma ak tanperati ki wo, jis tankouSik. Paske B4C se pi di, yo ka itilize pou peryòd ki pi long nan tan pou chak inite.

Karakteristik prensipal (B4C konsantre bag)

• Trè wo dite

• Kondiktè elektrisite

• Ekselan rezistans mete nan plasma

• Segondè rèd espesifik